半导体器件的制造方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410195868.1

申请日：

2014-05-09

公开(公告)号：

CN104143531A

公开(公告)日：

2014-11-12

发明(设计)人：

野坂隆之

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2166 H01L2167

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华;张宁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101663306618 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2014101958681 申请日:20140509
2015-10-28	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722516202 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2014101958681 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:神奈川县变更后:日本东京都
2019-11-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/768 申请公布日:20141112
2014-11-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

高桥典之 .

中国专利 :CN102683223A ,2012-09-19

[2]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

木村雅俊 .

中国专利 :CN105390445A ,2016-03-09

[3]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

天羽生淳 .

日本专利 :CN110246845B ,2024-06-21

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

别宫史浩 .

中国专利 :CN102054789B ,2011-05-11

[5]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

成田雅贵 ;

佐藤兴一 ;

大岩德久 .

中国专利 :CN1278409C ,2004-01-14

[6]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

平井友洋 ;

川口宏 .

中国专利 :CN105938799A ,2016-09-14

[7]

半导体器件和半导体器件的制造方法 [P].

天羽生淳 .

中国专利 :CN110246845A ,2019-09-17

[8]

半导体器件、半导体器件布局和制造半导体器件的方法 [P].

廖忠志 .

中国专利 :CN106024628A ,2016-10-12

[9]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

涂火金 ;

三重野文健 ;

禹国宾 .

中国专利 :CN103165664A ,2013-06-19

[10]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

森日出树 .

中国专利 :CN101661935B ,2010-03-03

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