栅极结构的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810112503.2

申请日：

2008-05-23

公开(公告)号：

CN101587834A

公开(公告)日：

2009-11-25

发明(设计)人：

张海洋陈海华黄怡段晓斌

申请人：

申请人地址：

100176北京市经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

李丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-05-04	授权	授权
2009-11-25	公开	公开
2020-05-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20080523 授权公告日:20110504 终止日期:20190523

共 50 条

[1]

栅极结构的制造方法 [P].

彭坤 .

中国专利 :CN101651095A ,2010-02-17

[2]

栅极的制造方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101290879B ,2008-10-22

[3]

金属栅极结构的制造方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN109065445B ,2018-12-21

[4]

栅极结构的制造方法 [P].

罗飞 ;

吴金刚 ;

高大为 ;

高关且 .

中国专利 :CN101123185A ,2008-02-13

[5]

栅极的制造方法 [P].

顾海芳 ;

张志诚 ;

林宗谟 ;

陈明志 .

中国专利 :CN109637979B ,2019-04-16

[6]

栅极的制造方法 [P].

张海洋 ;

陈海华 ;

黄怡 .

中国专利 :CN101303974A ,2008-11-12

[7]

栅极的制造方法 [P].

李镇全 .

中国专利 :CN109037053B ,2018-12-18

[8]

栅极的制造方法 [P].

李镇全 ;

何德彦 .

中国专利 :CN108470681B ,2018-08-31

[9]

半导体器件栅极结构的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101038870A ,2007-09-19

[10]

CMOS器件的栅极结构及其制造方法 [P].

陈瑜 ;

罗啸 ;

袁苑 .

中国专利 :CN104779273A ,2015-07-15

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