离子束抛光工艺中面形收敛精度的控制方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810030957.5

申请日：

2008-03-31

公开(公告)号：

CN101261511A

公开(公告)日：

2008-09-10

发明(设计)人：

李圣怡戴一帆解旭辉周林郑子文王建敏尹自强

申请人：

申请人地址：

410073湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学机电工程与自动化学院机电工程系

IPC主分类号：

G05B194093

IPC分类号：

C03C2300

代理机构：

湖南兆弘专利事务所

代理人：

赵洪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-10	公开	公开
2016-05-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101661356725 IPC(主分类):G05B 19/4093 专利号:ZL2008100309575 申请日:20080331 授权公告日:20100210 终止日期:20150331
2010-02-10	授权	授权
2008-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

离子束抛光工艺修形能力的评价方法 [P].

李圣怡 ;

戴一帆 ;

解旭辉 ;

周林 ;

郑子文 ;

陈善勇 ;

彭小强 .

中国专利 :CN101250029B ,2008-08-27

[2]

一种离子束抛光路径的规划方法 [P].

戴一帆 ;

李圣怡 ;

周林 ;

解旭辉 ;

彭小强 ;

吴宇列 ;

王建敏 .

中国专利 :CN101274822B ,2008-10-01

[3]

离子束抛光工艺中坐标映射误差的修正方法 [P].

李圣怡 ;

戴一帆 ;

周林 ;

解旭辉 ;

焦长君 ;

尹自强 ;

刘晓东 .

中国专利 :CN101284713B ,2008-10-15

[4]

离子束抛光设备及应用其的离子束抛光方法 [P].

吴丽翔 ;

邱克强 ;

曾思为 ;

付绍军 .

中国专利 :CN104907894A ,2015-09-16

[5]

离子束抛光设备 [P].

吴丽翔 ;

邱克强 ;

曾思为 ;

付绍军 .

中国专利 :CN204771859U ,2015-11-18

[6]

离子束抛光加工结果的预测预报方法 [P].

解旭辉 ;

李圣怡 ;

戴一帆 ;

周林 ;

焦长君 ;

陈善勇 ;

王贵林 .

中国专利 :CN100550006C ,2008-09-03

[7]

一种面向亚纳米精度离子束抛光的面形误差优化去除方法 [P].

廖文林 ;

聂徐庆 ;

谢强 ;

张浩 ;

万稳 ;

蒋国庆 ;

聂旭涛 ;

张逸飞 .

中国专利 :CN111002111A ,2020-04-14

[8]

离子束抛光多工况去除函数获取方法 [P].

吴鹏 ;

唐浩展 ;

杨正 .

中国专利 :CN120337773A ,2025-07-18

[9]

高陡度镜面的离子束抛光方法 [P].

廖文林 ;

戴一帆 ;

周林 ;

陈善勇 ;

解旭辉 ;

郑子文 .

中国专利 :CN101898324B ,2010-12-01

[10]

条形束斑离子束抛光的面形重构及扫描路径规划方法 [P].

吴丽翔 ;

魏朝阳 ;

邵建达 ;

胡晨 .

中国专利 :CN106649916B ,2017-05-10

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