半导体发光二极管装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910022477.2

申请日：

2019-01-10

公开(公告)号：

CN109830592A

公开(公告)日：

2019-05-31

发明(设计)人：

林金填陈磊卢淑芬李超邱镇民

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区西乡鹤洲南片工业区2-3号阳光工业园A1栋厂房八楼

IPC主分类号：

H01L3360

IPC分类号：

H01L3350 H01L3358 H01L3364

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

方良

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-31	公开	公开
2019-11-12	授权	授权
2019-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/60 申请日:20190110

共 50 条

[1]

半导体发光二极管装置和灯具 [P].

蔡金兰 ;

陈磊 ;

冉崇高 ;

卢淑芬 ;

李超 ;

林金填 .

中国专利 :CN109841719A ,2019-06-04

[2]

半导体发光二极管 [P].

近藤且章 .

中国专利 :CN100416870C ,2004-08-25

[3]

半导体发光二极管 [P].

张丽蕾 ;

王刚 ;

邵喜斌 .

中国专利 :CN101308841A ,2008-11-19

[4]

半导体发光二极管 [P].

藏本恭介 .

中国专利 :CN101118945A ,2008-02-06

[5]

半导体发光二极管 [P].

彭晖 ;

闫春辉 ;

柯志杰 .

中国专利 :CN102420280A ,2012-04-18

[6]

半导体发光二极管 [P].

中津弘志 ;

山本修 .

中国专利 :CN1155118C ,2000-03-01

[7]

半导体发光二极管 [P].

吴永胜 ;

张帆 .

中国专利 :CN111081833A ,2020-04-28

[8]

半导体发光二极管 [P].

郑一权 .

中国专利 :CN101752485A ,2010-06-23

[9]

半导体发光二极管 [P].

石川卓哉 ;

荒川智志 ;

向原智一 ;

柏川秋彦 .

中国专利 :CN1256795A ,2000-06-14

[10]

半导体发光二极管 [P].

小岛章弘 ;

下宿幸 ;

杉崎吉昭 ;

秋元阳介 ;

藤井孝佳 .

中国专利 :CN103403889B ,2013-11-20

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