半导体发光二极管装置和灯具

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910118304.0

申请日：

2019-02-15

公开(公告)号：

CN109841719A

公开(公告)日：

2019-06-04

发明(设计)人：

蔡金兰陈磊冉崇高卢淑芬李超林金填

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市宝安区西乡鹤洲南片工业区2-3号阳光工业园A1栋厂房八楼

IPC主分类号：

H01L3348

IPC分类号：

H01L3350 H01L25075

代理机构：

深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414

代理人：

方良

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-04	公开	公开
2021-05-14	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):H01L 33/48 登记号:Y2021980003208 登记生效日:20210429 出质人:旭宇光电（深圳）股份有限公司质权人:深圳市高新投小额贷款有限公司发明名称:半导体发光二极管装置和灯具申请日:20190215 授权公告日:20200424
2022-07-01	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的注销 IPC(主分类):H01L 33/48 授权公告日:20200424 申请日:20190215 登记号:Y2021980003208 出质人:旭宇光电（深圳）股份有限公司质权人:深圳市高新投小额贷款有限公司解除日:20220615
2020-04-24	授权	授权
2019-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/48 申请日:20190215

共 50 条

[1]

半导体发光二极管装置 [P].

林金填 ;

陈磊 ;

卢淑芬 ;

李超 ;

邱镇民 .

中国专利 :CN109830592A ,2019-05-31

[2]

半导体发光二极管 [P].

近藤且章 .

中国专利 :CN100416870C ,2004-08-25

[3]

半导体发光二极管 [P].

张丽蕾 ;

王刚 ;

邵喜斌 .

中国专利 :CN101308841A ,2008-11-19

[4]

半导体发光二极管 [P].

藏本恭介 .

中国专利 :CN101118945A ,2008-02-06

[5]

半导体发光二极管 [P].

彭晖 ;

闫春辉 ;

柯志杰 .

中国专利 :CN102420280A ,2012-04-18

[6]

半导体发光二极管 [P].

中津弘志 ;

山本修 .

中国专利 :CN1155118C ,2000-03-01

[7]

半导体发光二极管 [P].

吴永胜 ;

张帆 .

中国专利 :CN111081833A ,2020-04-28

[8]

半导体发光二极管 [P].

郑一权 .

中国专利 :CN101752485A ,2010-06-23

[9]

半导体发光二极管 [P].

石川卓哉 ;

荒川智志 ;

向原智一 ;

柏川秋彦 .

中国专利 :CN1256795A ,2000-06-14

[10]

半导体发光二极管 [P].

小岛章弘 ;

下宿幸 ;

杉崎吉昭 ;

秋元阳介 ;

藤井孝佳 .

中国专利 :CN103403889B ,2013-11-20

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