多层陶瓷电子组件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811395884.X

申请日：

2018-11-22

公开(公告)号：

CN110808165A

公开(公告)日：

2020-02-18

发明(设计)人：

车炅津李承熙吴炫受权亨纯赵志弘

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G430

IPC分类号：

H01G4008 H01G412

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

包国菊;金光军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-18	公开	公开
2021-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 4/30 申请日:20181122

共 50 条

[1]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

王炳庸 ;

金广植 ;

李志勳 .

中国专利 :CN111292960A ,2020-06-16

[2]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

朴今珍 ;

崔畅学 ;

李治和 ;

辛敏基 ;

金佑燮 ;

刘正勋 .

中国专利 :CN105719834A ,2016-06-29

[3]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

宋玲娥 ;

崔奉珪 .

中国专利 :CN112992539A ,2021-06-18

[4]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

尹瑄浩 ;

金正烈 ;

朴城汉 ;

闵景基 ;

朴荣圭 ;

金锺翰 .

中国专利 :CN110544586B ,2019-12-06

[5]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

宋玲娥 ;

崔奉珪 .

韩国专利 :CN112992539B ,2024-11-05

[6]

多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法 [P].

车炅津 ;

李承熙 ;

吴范奭 ;

金广植 ;

金东勳 ;

李种晧 ;

文先载 .

中国专利 :CN110676052A ,2020-01-10

[7]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

慎弘泽 ;

崔才烈 ;

金志慧 .

中国专利 :CN105957713B ,2016-09-21

[8]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

金东镇 ;

崔畅学 ;

具本锡 ;

张昌洙 ;

郑文成 ;

张殷镕 ;

金昞建 .

中国专利 :CN112289586A ,2021-01-29

[9]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

金泰成 ;

尹炯植 ;

申旴澈 ;

李濬云 .

中国专利 :CN112309717B ,2021-02-02

[10]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

李银贞 ;

尹惠善 ;

李成浩 ;

金孝燮 .

中国专利 :CN110010350A ,2019-07-12

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