多层陶瓷电子组件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510483127.8

申请日：

2015-08-03

公开(公告)号：

CN105719834A

公开(公告)日：

2016-06-29

发明(设计)人：

朴今珍崔畅学李治和辛敏基金佑燮刘正勋

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G430

IPC分类号：

H01G4008 H01G412

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

马翠平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101750965972 IPC(主分类):H01G 4/30 专利申请号:2015104831278 申请日:20150803
2016-06-29	公开	公开
2020-05-05	授权	授权

共 50 条

[1]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

王炳庸 ;

金广植 ;

李志勳 .

中国专利 :CN111292960A ,2020-06-16

[2]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

尹瑄浩 ;

金正烈 ;

朴城汉 ;

闵景基 ;

朴荣圭 ;

金锺翰 .

中国专利 :CN110544586B ,2019-12-06

[3]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

车炅津 ;

李承熙 ;

吴炫受 ;

权亨纯 ;

赵志弘 .

中国专利 :CN110808165A ,2020-02-18

[4]

多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法 [P].

车炅津 ;

李承熙 ;

吴范奭 ;

金广植 ;

金东勳 ;

李种晧 ;

文先载 .

中国专利 :CN110676052A ,2020-01-10

[5]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

慎弘泽 ;

崔才烈 ;

金志慧 .

中国专利 :CN105957713B ,2016-09-21

[6]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

金东镇 ;

崔畅学 ;

具本锡 ;

张昌洙 ;

郑文成 ;

张殷镕 ;

金昞建 .

中国专利 :CN112289586A ,2021-01-29

[7]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

金泰成 ;

尹炯植 ;

申旴澈 ;

李濬云 .

中国专利 :CN112309717B ,2021-02-02

[8]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

李银贞 ;

尹惠善 ;

李成浩 ;

金孝燮 .

中国专利 :CN110010350A ,2019-07-12

[9]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

李银贞 ;

尹惠善 ;

李成浩 ;

金孝燮 .

中国专利 :CN105575664A ,2016-05-11

[10]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

金釉娜 ;

崔才烈 ;

洪奇杓 ;

李种晧 .

中国专利 :CN110164688A ,2019-08-23

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