一种制备负载型碳氮化物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910115204.2

申请日：

2019-02-14

公开(公告)号：

CN109686982A

公开(公告)日：

2019-04-26

发明(设计)人：

甘亚冯良荣

申请人：

申请人地址：

610041 四川省成都市一环路南二段16号中国科学院成都有机化学研究所

IPC主分类号：

H01M462

IPC分类号：

H01M490

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/62 申请日:20190214
2019-04-26	公开	公开

共 50 条

[41]

一种氮化物薄膜的制备方法 [P].

罗伟科 ;

李忠辉 ;

杨乾坤 ;

李亮 .

中国专利 :CN106544643B ,2017-03-29

[42]

一种氮化物膜的制备方法 [P].

杨丹丹 ;

徐永宽 ;

程红娟 ;

殷海丰 ;

李强 ;

于祥潞 ;

赖占平 ;

严如岳 .

中国专利 :CN101673672A ,2010-03-17

[43]

一种氮化物陶瓷的制备方法 [P].

伍尚华 ;

聂光临 ;

黎业华 .

中国专利 :CN110028324B ,2019-07-19

[44]

硼碳氮化物纳米片及其制备方法和应用 [P].

于文杰 ;

辛斌杰 ;

罗健 ;

沈冬冬 ;

孔方圆 ;

余淼 ;

刘毅 ;

袁秀文 ;

范明珠 ;

朱润虎 .

中国专利 :CN113184814A ,2021-07-30

[45]

一种碳氮化物陶瓷烧结炉 [P].

刘建 ;

张大军 ;

张栋 ;

路翔 ;

段文婷 ;

杨靖 ;

揭楚滨 ;

文海 .

中国专利 :CN216954014U ,2022-07-12

[46]

增强型HEMT的p型氮化物栅的制备方法、增强型氮化物HEMT及其制备方法 [P].

任远 ;

程川 ;

陈志涛 ;

刘宁炀 ;

赵维 ;

姜南 .

中国专利 :CN112736137A ,2021-04-30

[47]

氮化物涂层制备方法、氮化物涂层及其应用 [P].

郭裕竹 ;

郭丰铭 .

中国专利 :CN113564539A ,2021-10-29

[48]

一种二次电池负极材料富碳型碳氮化物及其制备方法与应用 [P].

陈阳 ;

崔晓莉 .

中国专利 :CN112919434A ,2021-06-08

[49]

p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法 [P].

郭艳敏 ;

房玉龙 ;

尹甲运 ;

李佳 ;

王波 ;

张志荣 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

冯志红 .

中国专利 :CN108538714A ,2018-09-14

[50]

用于沉积硼碳氮化物的方法和系统 [P].

A·尼斯卡宁 .

:CN118272788A ,2024-07-02

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