外延沉积工艺及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200780004498.7

申请日：

2007-01-16

公开(公告)号：

CN101379214B

公开(公告)日：

2009-03-04

发明(设计)人：

A·兰 Y·金 S·库普里奥 S-E·潘 X·陆 C-T·考

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C16452

IPC分类号：

C23C16505 H01L21306 H01L2102 C23C1602 H01L2100

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陆嘉

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-04	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101256712832 IPC(主分类):C23C 16/452 专利申请号:2007800044987 变更事项:申请人变更前:应用材料股份有限公司变更后:应用材料公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州
2009-03-04	公开	公开
2013-12-18	授权	授权
2009-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

低温共流外延沉积工艺 [P].

吴贞莹 ;

阿布舍克·杜贝 .

美国专利 :CN120077763A ,2025-05-30

[2]

用于外延沉积工艺的注入组件 [P].

大木慎一 ;

青木裕司 ;

森义信 .

中国专利 :CN110998793A ,2020-04-10

[3]

外延沉积设备 [P].

崔海波 ;

焦文鸿 ;

常少辉 ;

莱昂纳德·刘 .

中国专利 :CN222476832U ,2025-02-14

[4]

外延沉积设备 [P].

张逸杰 ;

焦文鸿 .

中国专利 :CN118086878A ,2024-05-28

[5]

外延沉积设备 [P].

王树林 ;

曹建伟 .

中国专利 :CN218321744U ,2023-01-17

[6]

一种外延沉积反应室、沉积系统及沉积方法 [P].

盛飞龙 ;

郭嘉杰 ;

王慧勇 ;

王鑫 ;

吴彩庭 ;

孔倩茵 .

中国专利 :CN114753001A ,2022-07-15

[7]

使用化学气相沉积工艺来沉积高－k电介质材料的方法 [P].

施里亚斯·凯尔 ;

德加尔·戈亚尼 ;

巴拉志·卡南 .

中国专利 :CN101298663A ,2008-11-05

[8]

外延沉积的源极/漏极 [P].

尼克·林德特 ;

阿南德·默西 ;

贾斯廷·布拉斯克 .

中国专利 :CN1898785B ,2007-01-17

[9]

物理气相沉积设备、沉积工艺及刻蚀工艺 [P].

潘兴强 .

中国专利 :CN116752109B ,2024-08-20

[10]

减少氢沉积工艺 [P].

闵笑全 ;

V·S·C·帕里米 ;

P·K·库尔施拉希萨 ;

K·李 .

美国专利 :CN114830299B ,2024-12-13

← 1 2 3 4 5 →