外延沉积设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211503556.3

申请日：

2022-11-28

公开(公告)号：

CN118086878A

公开(公告)日：

2024-05-28

发明(设计)人：

张逸杰焦文鸿

申请人：

中微半导体设备（上海）股份有限公司

申请人地址：

201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号

IPC主分类号：

C23C16/458

IPC分类号：

代理机构：

上海元好知识产权代理有限公司 31323

代理人：

徐雯琼;张静洁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/458申请日:20221128
2024-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

外延沉积设备 [P].

崔海波 ;

焦文鸿 ;

常少辉 ;

莱昂纳德·刘 .

中国专利 :CN222476832U ,2025-02-14

[2]

外延沉积设备 [P].

王树林 ;

曹建伟 .

中国专利 :CN218321744U ,2023-01-17

[3]

常压外延沉积腔室 [P].

刘树坤 ;

穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 ;

尼欧·谬 ;

亚伦·米勒 ;

阿伦·缪尔·亨特 ;

埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯 ;

保罗·布里尔哈特 ;

约瑟夫·M·拉内什 ;

卡尔蒂克·萨哈 ;

丹尼斯·L·德玛斯 ;

萨瑟施·库珀奥 .

中国专利 :CN106715753B ,2017-05-24

[4]

层沉积设备和层沉积方法 [P].

朴宪勇 ;

金延泰 ;

李璋辉 ;

裵祥佑 ;

李贞彻 .

韩国专利 :CN119943706A ,2025-05-06

[5]

外延沉积工艺及装置 [P].

A·兰 ;

Y·金 ;

S·库普里奥 ;

S-E·潘 ;

X·陆 ;

C-T·考 .

中国专利 :CN101379214B ,2009-03-04

[6]

外延沉积设备、喷淋头和及其制造方法 [P].

梁秉文 .

中国专利 :CN103132139A ,2013-06-05

[7]

用于外延沉积的反应腔 [P].

黄允文 ;

田益西 .

中国专利 :CN103320852A ,2013-09-25

[8]

用于外延沉积的反应腔 [P].

田益西 ;

黄允文 .

中国专利 :CN103305907A ,2013-09-18

[9]

通过外延沉积的硅晶片 [P].

V·斯瓦拉马克瑞希楠 ;

T·S·拉维 ;

A·卡祖巴 ;

Q·V·特鲁翁 ;

J·R·瓦特斯 .

中国专利 :CN103748791A ,2014-04-23

[10]

低温共流外延沉积工艺 [P].

吴贞莹 ;

阿布舍克·杜贝 .

美国专利 :CN120077763A ,2025-05-30

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