外延沉积设备

被引：0

申请号：

CN202220972890.2

申请日：

2022-04-22

公开(公告)号：

CN218321744U

公开(公告)日：

2023-01-17

发明(设计)人：

王树林曹建伟

申请人：

申请人地址：

311100 浙江省杭州市临平区临平街道顺达路500号1幢102室

IPC主分类号：

C30B2508

IPC分类号：

C30B2512 C30B2514

代理机构：

杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250

代理人：

陈靖康

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-17	授权	授权

共 50 条

[1]

外延沉积设备 [P].

崔海波 ;

焦文鸿 ;

常少辉 ;

莱昂纳德·刘 .

中国专利 :CN222476832U ,2025-02-14

[2]

外延沉积设备 [P].

张逸杰 ;

焦文鸿 .

中国专利 :CN118086878A ,2024-05-28

[3]

一种外延沉积反应室、沉积系统及沉积方法 [P].

盛飞龙 ;

郭嘉杰 ;

王慧勇 ;

王鑫 ;

吴彩庭 ;

孔倩茵 .

中国专利 :CN114753001A ,2022-07-15

[4]

外延基座及外延设备 [P].

董晨华 ;

林志鑫 ;

季文明 ;

牛景豪 .

中国专利 :CN108950680A ,2018-12-07

[5]

一种外延沉积腔室 [P].

沈文杰 ;

傅林坚 ;

潘文博 ;

董医芳 ;

汤承伟 ;

章杰峰 ;

麻鹏达 ;

周建灿 .

中国专利 :CN209412356U ,2019-09-20

[6]

外延沉积工艺及装置 [P].

A·兰 ;

Y·金 ;

S·库普里奥 ;

S-E·潘 ;

X·陆 ;

C-T·考 .

中国专利 :CN101379214B ,2009-03-04

[7]

外延沉积设备、喷淋头和及其制造方法 [P].

梁秉文 .

中国专利 :CN103132139A ,2013-06-05

[8]

用于外延沉积的反应腔 [P].

黄允文 ;

田益西 .

中国专利 :CN103320852A ,2013-09-25

[9]

用于外延沉积的反应腔 [P].

田益西 ;

黄允文 .

中国专利 :CN103305907A ,2013-09-18

[10]

通过外延沉积的硅晶片 [P].

V·斯瓦拉马克瑞希楠 ;

T·S·拉维 ;

A·卡祖巴 ;

Q·V·特鲁翁 ;

J·R·瓦特斯 .

中国专利 :CN103748791A ,2014-04-23

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