半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810809001.9

申请日：

2018-07-20

公开(公告)号：

CN108994525B

公开(公告)日：

2018-12-14

发明(设计)人：

姚力军潘杰王学泽董志清

申请人：

申请人地址：

315000 浙江省宁波市余姚市名邦科技工业园区安山路198号

IPC主分类号：

B23P902

IPC分类号：

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371

代理人：

王术兰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-14	公开	公开
2019-01-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B23P 9/02 申请日:20180720
2020-08-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体用超高纯石墨模具 [P].

杨振远 .

中国专利 :CN223020898U ,2025-06-24

[2]

一种用于半导体溅射靶材的高纯钛锭开坯锻造方法 [P].

吴景晖 ;

姚力军 ;

杜全国 ;

雷孝吕 ;

李红洋 .

中国专利 :CN108746448B ,2018-11-06

[3]

半导体用超高纯石墨加热元件 [P].

杨振远 ;

白俊鹏 ;

戈珍军 ;

丁光明 ;

马长庆 .

中国专利 :CN223246726U ,2025-08-19

[4]

半导体用超高纯石墨电极 [P].

白俊鹏 .

中国专利 :CN222706661U ,2025-04-01

[5]

半导体用超高纯石墨热场 [P].

杨振远 ;

白俊鹏 ;

戈珍军 ;

丁光明 ;

马长庆 .

中国专利 :CN119082882A ,2024-12-06

[6]

半导体用超高纯石墨发热体 [P].

杨振远 ;

白俊鹏 ;

戈珍军 ;

丁光明 ;

马长庆 .

中国专利 :CN222996694U ,2025-06-17

[7]

半导体用超高纯石墨坩埚检测装置 [P].

杨振远 ;

白俊鹏 ;

戈珍军 ;

丁光明 ;

马长庆 .

中国专利 :CN223259579U ,2025-08-22

[8]

半导体用超高纯石墨绳检测装置 [P].

杨振远 ;

白俊鹏 ;

戈珍军 ;

丁光明 ;

马长庆 .

中国专利 :CN223426575U ,2025-10-10

[9]

纯钛溅射靶的表面处理方法 [P].

赵嘉庆 ;

邓海宁 ;

冯硕 ;

张泽豪 ;

赵娜娜 .

中国专利 :CN119328426A ,2025-01-21

[10]

一种高纯钛溅射靶材的制备方法 [P].

王旭彪 ;

吴金平 ;

刘承泽 ;

王作华 ;

刘未 .

中国专利 :CN120138584B ,2025-08-12

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