一种用于半导体溅射靶材的高纯钛锭开坯锻造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810571988.5

申请日：

2018-06-04

公开(公告)号：

CN108746448B

公开(公告)日：

2018-11-06

发明(设计)人：

吴景晖姚力军杜全国雷孝吕李红洋

申请人：

申请人地址：

315460 浙江省宁波市余姚市临山镇临浦村

IPC主分类号：

B21J500

IPC分类号：

B21J106 C23C1434 C22F118

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

严罗一

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-02	授权	授权
2018-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):B21J 5/00 申请日:20180604
2018-11-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高纯钛溅射靶材的制备方法 [P].

王旭彪 ;

吴金平 ;

刘承泽 ;

王作华 ;

刘未 .

中国专利 :CN120138584B ,2025-08-12

[2]

一种高纯钛溅射靶材的制备方法 [P].

王旭彪 ;

吴金平 ;

刘承泽 ;

王作华 ;

刘未 .

中国专利 :CN120138584A ,2025-06-13

[3]

一种高纯钛溅射靶材用焊接设备 [P].

黄炳炎 ;

吕培聪 ;

黄天乐 ;

吕森姣 .

中国专利 :CN119457587A ,2025-02-18

[4]

一种高纯钴溅射靶材的制备方法、高纯钴溅射靶材及应用 [P].

王兴权 ;

李勇军 ;

罗俊锋 ;

何金江 ;

徐国进 ;

丁照崇 ;

刘丹 ;

朱孜毅 .

中国专利 :CN116288237B ,2025-09-02

[5]

一种半导体及显示器用高纯铜溅射靶材的制造方法 [P].

李永军 ;

武浚 ;

马瑞新 ;

杨艳 ;

艾琳 ;

汪春平 ;

孙鹏 ;

吴中亮 ;

张亚东 .

中国专利 :CN101519765A ,2009-09-02

[6]

一种用于半导体设备的高导热钨镍铬溅射靶材制备方法 [P].

周志宏 ;

周昭寅 ;

刘青雄 .

中国专利 :CN120485575A ,2025-08-15

[7]

半导体用超高纯钛溅射靶端面滚花工艺 [P].

姚力军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

董志清 .

中国专利 :CN108994525B ,2018-12-14

[8]

一种高纯低氧回收溅射靶材的熔炼方法 [P].

邓先树 .

中国专利 :CN110923641A ,2020-03-27

[9]

一种高纯铜溅射靶材的清洗装置 [P].

吕培聪 ;

王建文 ;

赵昱程 .

中国专利 :CN120485791A ,2025-08-15

[10]

一种高纯铝管溅射靶材的制备方法 [P].

吴本明 ;

文宏福 .

中国专利 :CN110484874A ,2019-11-22

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