一种高纯钛溅射靶材用焊接设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411605635.4

申请日：

2024-11-12

公开(公告)号：

CN119457587A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

黄炳炎吕培聪黄天乐吕森姣

申请人：

光微半导体材料（宁波）有限公司

申请人地址：

315000 浙江省宁波市宁波杭州湾新区兴慈一路290号3号楼111-5室

IPC主分类号：

B23K37/00

IPC分类号：

代理机构：

宁波知坤专利代理事务所(特殊普通合伙) 33312

代理人：

涂萧恺

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省宁波市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B23K 37/00申请日:20241112
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高纯钛溅射靶材的制备方法 [P].

王旭彪 ;

吴金平 ;

刘承泽 ;

王作华 ;

刘未 .

中国专利 :CN120138584B ,2025-08-12

[2]

一种高纯钛溅射靶材的制备方法 [P].

王旭彪 ;

吴金平 ;

刘承泽 ;

王作华 ;

刘未 .

中国专利 :CN120138584A ,2025-06-13

[3]

一种溅射靶材扩散焊接设备及其方法 [P].

吕培聪 ;

董利达 ;

黄天乐 .

中国专利 :CN119839419A ,2025-04-18

[4]

一种高纯钴溅射靶材的制备方法、高纯钴溅射靶材及应用 [P].

王兴权 ;

李勇军 ;

罗俊锋 ;

何金江 ;

徐国进 ;

丁照崇 ;

刘丹 ;

朱孜毅 .

中国专利 :CN116288237B ,2025-09-02

[5]

一种高纯溅射靶材加工辅助装置 [P].

韦建敏 ;

张晓蓓 ;

赵兴文 ;

刘正斌 ;

张小波 .

中国专利 :CN216265580U ,2022-04-12

[6]

一种用于半导体溅射靶材的高纯钛锭开坯锻造方法 [P].

吴景晖 ;

姚力军 ;

杜全国 ;

雷孝吕 ;

李红洋 .

中国专利 :CN108746448B ,2018-11-06

[7]

一种溅射靶材焊接方法 [P].

姚科科 ;

大岩一彦 ;

廣田二郎 ;

林智行 ;

山田浩 .

中国专利 :CN111660003B ,2020-09-15

[8]

一种溅射靶材焊接方法 [P].

吕培聪 ;

邵帅 ;

邵振亚 .

中国专利 :CN117697242A ,2024-03-15

[9]

一种溅射靶材焊接方法 [P].

大岩一彦 ;

姚科科 ;

张瑾 ;

广田二郎 ;

兵藤芳温 ;

吕培聪 .

中国专利 :CN108994444A ,2018-12-14

[10]

一种溅射靶材焊接方法 [P].

吕培聪 ;

邵帅 ;

邵振亚 .

中国专利 :CN117697242B ,2024-06-25

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