半导体栅极结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910095566.X

申请日：

2019-01-31

公开(公告)号：

CN111261632A

公开(公告)日：

2020-06-09

发明(设计)人：

高玮

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-09	公开	公开
2020-07-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20190131

共 50 条

[1]

半导体栅极结构 [P].

高玮 .

中国专利 :CN209401624U ,2019-09-17

[2]

半导体结构/栅极结构制备方法、半导体结构及栅极结构 [P].

张冲 .

中国专利 :CN117766380A ,2024-03-26

[3]

栅极结构及其制备方法、半导体器件 [P].

晋东坡 ;

阳黎明 ;

李钊 ;

黄永彬 .

中国专利 :CN120529625A ,2025-08-22

[4]

半导体栅极结构的制备方法及半导体结构 [P].

胡迎宾 ;

郭廷晃 ;

郭哲劭 ;

王涛涛 .

中国专利 :CN119069345B ,2025-03-18

[5]

半导体栅极结构的制备方法及半导体结构 [P].

胡迎宾 ;

郭廷晃 ;

郭哲劭 ;

王涛涛 .

中国专利 :CN119069345A ,2024-12-03

[6]

具有金属栅极的半导体器件结构及其制备方法 [P].

平延磊 ;

杨瑞鹏 ;

肖德元 .

中国专利 :CN111128889A ,2020-05-08

[7]

一种金属栅极半导体结构及其制备方法 [P].

黄秋铭 .

中国专利 :CN108122779A ,2018-06-05

[8]

形成半导体元件及其栅极结构的方法 [P].

叶明熙 ;

林舜武 ;

陈启群 ;

陈嘉仁 ;

陈薏新 ;

陈建豪 ;

赵元舜 ;

黄国宾 .

中国专利 :CN101924035A ,2010-12-22

[9]

半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P].

廖学海 ;

明玉坤 ;

邹鹏 .

中国专利 :CN121078782A ,2025-12-05

[10]

具有栅极结构的半导体元件及其制备方法 [P].

郝中蓬 .

中国专利 :CN117677190A ,2024-03-08

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