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硅和硅锗纳米线结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201610421227.2
申请日：
2011-11-23
公开(公告)号：
CN105923602A
公开(公告)日：
2016-09-07
发明(设计)人：
K·J·库恩 S·金 R·里奥斯 S·M·赛亚 M·D·贾尔斯 A·卡佩尔拉尼 T·拉克什特 P·常 W·瑞驰梅迪
申请人：
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
B82Y1000
IPC分类号：
H01L21762 H01L2906 H01L2916 H01L29417 H01L29423 H01L21336 H01L21335 H01L29775 H01L2978 H01L29786
代理机构：
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人：
何焜
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2016-09-07 公开 公开
2022-04-08 发明专利申请公布后的驳回 发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20160907
2016-10-05 实质审查的生效 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101681309022 IPC(主分类):B82Y 10/00 专利申请号:2016104212272 申请日:20111123
2020-09-25 专利申请权、专利权的转移 专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20200907 变更事项:申请人 变更前权利人:英特尔公司 变更后权利人:索尼公司 变更事项:地址 变更前权利人:美国加利福尼亚州 变更后权利人:日本东京
共 50 条
[1]
硅和硅锗纳米线结构 [P]. 
K·J·库恩 ;
S·金 ;
R·里奥斯 ;
S·M·赛亚 ;
M·D·贾尔斯 ;
A·卡佩尔拉尼 ;
T·拉克什特 ;
P·常 ;
W·瑞驰梅迪 .
中国专利 :CN109607475B ,2019-04-12
[2]
硅和硅锗纳米线结构 [P]. 
K·J·库恩 ;
S·金 ;
R·里奥斯 ;
S·M·赛亚 ;
M·D·贾尔斯 ;
A·卡佩尔拉尼 ;
T·拉克什特 ;
P·常 ;
W·瑞驰梅迪 .
中国专利 :CN106449514A ,2017-02-22
[3]
硅和硅锗纳米线结构 [P]. 
K·J·库恩 ;
S·金 ;
R·里奥斯 ;
S·M·赛亚 ;
M·D·贾尔斯 ;
A·卡佩尔拉尼 ;
T·拉克什特 ;
P·常 ;
W·瑞驰梅迪 .
中国专利 :CN103238208A ,2013-08-07
[4]
硅和硅锗纳米线的形成 [P]. 
江国诚 ;
卡洛斯·H·迪亚兹 ;
让-皮埃尔·科林格 .
中国专利 :CN104425495A ,2015-03-18
[5]
硅衬底上有序锗纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
张建军 ;
高飞 .
中国专利 :CN110047734A ,2019-07-23
[6]
制造硅纳米线的方法和包含硅纳米线的器件 [P]. 
P·S·何 ;
吴卓杰 .
中国专利 :CN105580170A ,2016-05-11
[7]
一种硅锗纳米线的制作方法 [P]. 
王勇 ;
王瑛 ;
丁超 .
中国专利 :CN106229256A ,2016-12-14
[8]
一种硅锗纳米线的制作方法 [P]. 
刘丽蓉 ;
王勇 ;
丁超 .
中国专利 :CN106653566A ,2017-05-10
[9]
自组织锗硅纳米线量子点芯片 [P]. 
李海欧 ;
徐刚 ;
王柯 ;
曹刚 ;
郭光灿 ;
郭国平 .
中国专利 :CN209312772U ,2019-08-27
[10]
锗纳米线制造 [P]. 
L·维特斯 ;
K·沃斯特恩 .
中国专利 :CN109216199B ,2019-01-15
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