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硅和硅锗纳米线结构

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811307141.2
申请日：
2011-11-23
公开(公告)号：
CN109607475B
公开(公告)日：
2019-04-12
发明(设计)人：
K·J·库恩 S·金 R·里奥斯 S·M·赛亚 M·D·贾尔斯 A·卡佩尔拉尼 T·拉克什特 P·常 W·瑞驰梅迪
申请人：
申请人地址：
日本东京
IPC主分类号：
H01L29775
IPC分类号：
H01L2978 H01L29786 H01L29423 H01L29417 H01L2916 H01L2906 H01L21762 H01L21335 H01L21336 B82Y1000
代理机构：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290
代理人：
陈桂香;曹正建
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-05-07 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):B82Y 10/00 申请日:20111123
2019-04-12 公开 公开
2022-04-15 授权 授权
2020-09-29 专利申请权、专利权的转移 专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/775 登记生效日:20200909 变更事项:申请人 变更前权利人:英特尔公司 变更后权利人:索尼公司 变更事项:地址 变更前权利人:美国加利福尼亚州 变更后权利人:日本东京
共 50 条
[1]
硅和硅锗纳米线结构 [P]. 
K·J·库恩 ;
S·金 ;
R·里奥斯 ;
S·M·赛亚 ;
M·D·贾尔斯 ;
A·卡佩尔拉尼 ;
T·拉克什特 ;
P·常 ;
W·瑞驰梅迪 .
中国专利 :CN105923602A ,2016-09-07
[2]
硅和硅锗纳米线结构 [P]. 
K·J·库恩 ;
S·金 ;
R·里奥斯 ;
S·M·赛亚 ;
M·D·贾尔斯 ;
A·卡佩尔拉尼 ;
T·拉克什特 ;
P·常 ;
W·瑞驰梅迪 .
中国专利 :CN106449514A ,2017-02-22
[3]
硅和硅锗纳米线结构 [P]. 
K·J·库恩 ;
S·金 ;
R·里奥斯 ;
S·M·赛亚 ;
M·D·贾尔斯 ;
A·卡佩尔拉尼 ;
T·拉克什特 ;
P·常 ;
W·瑞驰梅迪 .
中国专利 :CN103238208A ,2013-08-07
[4]
硅和硅锗纳米线的形成 [P]. 
江国诚 ;
卡洛斯·H·迪亚兹 ;
让-皮埃尔·科林格 .
中国专利 :CN104425495A ,2015-03-18
[5]
硅衬底上有序锗纳米线及其制备方法和应用 [P]. 
张建军 ;
高飞 .
中国专利 :CN110047734A ,2019-07-23
[6]
制造硅纳米线的方法和包含硅纳米线的器件 [P]. 
P·S·何 ;
吴卓杰 .
中国专利 :CN105580170A ,2016-05-11
[7]
一种硅锗纳米线的制作方法 [P]. 
王勇 ;
王瑛 ;
丁超 .
中国专利 :CN106229256A ,2016-12-14
[8]
一种硅锗纳米线的制作方法 [P]. 
刘丽蓉 ;
王勇 ;
丁超 .
中国专利 :CN106653566A ,2017-05-10
[9]
自组织锗硅纳米线量子点芯片 [P]. 
李海欧 ;
徐刚 ;
王柯 ;
曹刚 ;
郭光灿 ;
郭国平 .
中国专利 :CN209312772U ,2019-08-27
[10]
锗纳米线制造 [P]. 
L·维特斯 ;
K·沃斯特恩 .
中国专利 :CN109216199B ,2019-01-15
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