一种Al组分渐变式P型LED结构及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410123018.0

申请日：

2014-03-24

公开(公告)号：

CN104952994A

公开(公告)日：

2015-09-30

发明(设计)人：

逯瑶王成新曲爽

申请人：

申请人地址：

261061 山东省潍坊市高新区金马路9号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-30	公开	公开
2018-07-10	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/14 申请公布日:20150930
2015-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101631735556 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2014101230180 申请日:20140324

共 50 条

[1]

一种Al组分渐变式N型LED结构及其制备方法 [P].

曲爽 ;

王成新 ;

逯瑶 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN105140356B ,2015-12-09

[2]

一种具有Al组分及厚度阶梯式渐变的量子垒结构的近紫外LED制备方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN105304770A ,2016-02-03

[3]

具有渐变In组分p型InGaN导电层的GaN基绿光LED外延结构及其制备方法 [P].

王洪 ;

徐明升 ;

周泉斌 .

中国专利 :CN107146836A ,2017-09-08

[4]

一种具有组分渐变缓冲层的绿光LED结构 [P].

王智勇 ;

杨翠柏 ;

张杨 ;

杨光辉 .

中国专利 :CN104300060A ,2015-01-21

[5]

一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法 [P].

徐洋洋 ;

江汉 ;

徐志军 ;

黎国昌 ;

程虎 ;

王文君 ;

苑树伟 .

中国专利 :CN113314647B ,2021-08-27

[6]

一种LED外延结构、LED芯片及LED外延结构制备方法 [P].

徐洋洋 ;

江汉 ;

徐志军 ;

黎国昌 ;

程虎 ;

王文君 ;

苑树伟 .

中国专利 :CN114122208B ,2022-03-01

[7]

一种梯度Al组分AlGaN深紫外LED及其制备方法 [P].

黎大兵 ;

王贤君 ;

蒋科 ;

孙晓娟 ;

吕顺鹏 ;

张山丽 ;

贲建伟 ;

刘明睿 .

中国专利 :CN118943261A ,2024-11-12

[8]

一种具有In和Al掺杂，In渐变生长的低温P型GaN外延方法 [P].

刘丽军 ;

任亮亮 ;

曾海军 ;

祝光辉 ;

李刚 .

中国专利 :CN109360877A ,2019-02-19

[9]

一种Micro LED外延结构及其制备方法 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119300569B ,2025-05-27

[10]

一种Micro LED外延结构及其制备方法 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119300569A ,2025-01-10

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