一种具有Al组分及厚度阶梯式渐变的量子垒结构的近紫外LED制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510603666.0

申请日：

2015-09-21

公开(公告)号：

CN105304770A

公开(公告)日：

2016-02-03

发明(设计)人：

贾传宇殷淑仪张国义

申请人：

申请人地址：

523518 广东省东莞市企石镇科技工业园

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/00 申请公布日:20160203
2016-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101649086264 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2015106036660 申请日:20150921
2016-02-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种采用MOCVD技术制备具有阶梯式量子阱结构近紫外LED的方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN106033787A ,2016-10-19

[2]

一种制备具有掺杂浓度及Al组分阶梯式变化的p型AlGaN/AlInGaN电子阻挡层近紫外LED的方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN106299038A ,2017-01-04

[3]

一种具有组分渐变量子阱结构的深紫外LED及制备方法 [P].

张骏 ;

岳金顺 ;

梁仁瓅 .

中国专利 :CN112382708A ,2021-02-19

[4]

一种具有双梯度的量子阱结构的近紫外LED制备方法 [P].

贾传宇 ;

王红成 ;

凌东雄 .

中国专利 :CN108899398B ,2018-11-27

[5]

具有新型量子垒结构的紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

郑悠 ;

李光 .

中国专利 :CN110098294A ,2019-08-06

[6]

一种Al组分渐变式P型LED结构及制备方法 [P].

逯瑶 ;

王成新 ;

曲爽 .

中国专利 :CN104952994A ,2015-09-30

[7]

一种Al组分渐变式N型LED结构及其制备方法 [P].

曲爽 ;

王成新 ;

逯瑶 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN105140356B ,2015-12-09

[8]

一种采用势垒高度渐变量子垒的LED结构及其制备方法 [P].

王成新 ;

王强 ;

徐现刚 ;

李树强 ;

曲爽 .

中国专利 :CN102820395A ,2012-12-12

[9]

一种具有复合电子阻挡层的近紫外LED的制备方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN106784188B ,2017-05-31

[10]

有源垒层掺Be及Al渐变的外延结构及其制备方法 [P].

程海林 ;

朱帅 .

中国专利 :CN118073489A ,2024-05-24

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