一种采用MOCVD技术制备具有阶梯式量子阱结构近紫外LED的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510116680.8

申请日：

2015-03-17

公开(公告)号：

CN106033787A

公开(公告)日：

2016-10-19

发明(设计)人：

贾传宇殷淑仪张国义

申请人：

申请人地址：

523518 广东省东莞市企石镇科技工业园

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306 H01L3312 H01L3332 C30B2502 C30B2940

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-19	公开	公开
2016-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687382362 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2015101166808 申请日:20150317
2018-05-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种采用MOCVD技术制备高亮度近紫外LED的方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN105449052A ,2016-03-30

[2]

一种具有双梯度的量子阱结构的近紫外LED制备方法 [P].

贾传宇 ;

王红成 ;

凌东雄 .

中国专利 :CN108899398B ,2018-11-27

[3]

一种采用MOCVD技术的近紫外LED及其制备方法 [P].

贺龙飞 ;

赵维 ;

张康 ;

何晨光 ;

吴华龙 ;

廖乾光 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN111029448B ,2020-04-17

[4]

一种高亮度近紫外LED及其制备方法 [P].

贾传宇 ;

于彤军 ;

殷淑仪 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN104538521A ,2015-04-22

[5]

一种采用MOCVD技术制备370-380nm高亮度近紫外LED的方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN106033788A ,2016-10-19

[6]

一种具有单量子阱结构的深紫外LED及其制备方法 [P].

张骏 ;

张毅 ;

岳金顺 ;

陈长清 .

中国专利 :CN115036401B ,2025-10-24

[7]

一种具有单量子阱结构的深紫外LED及其制备方法 [P].

张毅 ;

张骏 ;

岳金顺 .

中国专利 :CN115036401A ,2022-09-09

[8]

一种具有Al组分及厚度阶梯式渐变的量子垒结构的近紫外LED制备方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN105304770A ,2016-02-03

[9]

一种具有组分渐变量子阱结构的深紫外LED及制备方法 [P].

张骏 ;

岳金顺 ;

梁仁瓅 .

中国专利 :CN112382708A ,2021-02-19

[10]

一种具有多量子阱发光层结构的深紫外LED及其制备方法 [P].

岳金顺 ;

陈景文 ;

陈云 ;

张骏 ;

张毅 .

中国专利 :CN115566117A ,2023-01-03

← 1 2 3 4 5 →