一种采用MOCVD技术制备370-380nm高亮度近紫外LED的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510116708.8

申请日：

2015-03-17

公开(公告)号：

CN106033788A

公开(公告)日：

2016-10-19

发明(设计)人：

贾传宇殷淑仪张国义

申请人：

申请人地址：

523518 广东省东莞市企石镇科技工业园

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

C23C1634

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687383130 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2015101167088 申请日:20150317
2016-10-19	公开	公开
2018-05-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种采用MOCVD技术制备高亮度近紫外LED的方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN105449052A ,2016-03-30

[2]

一种高亮度近紫外LED及其制备方法 [P].

贾传宇 ;

于彤军 ;

殷淑仪 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN104538521A ,2015-04-22

[3]

一种采用MOCVD技术的近紫外LED及其制备方法 [P].

贺龙飞 ;

赵维 ;

张康 ;

何晨光 ;

吴华龙 ;

廖乾光 ;

陈志涛 .

中国专利 :CN111029448B ,2020-04-17

[4]

一种采用MOCVD技术制备深紫外LED的方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN105161582A ,2015-12-16

[5]

一种采用MOCVD技术制备具有阶梯式量子阱结构近紫外LED的方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN106033787A ,2016-10-19

[6]

一种高亮度近紫外LED及其外延生长方法 [P].

贾传宇 ;

于彤军 ;

殷淑仪 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN104485404A ,2015-04-01

[7]

一种高亮度V型极化掺杂深紫外LED制备方法 [P].

尹以安 ;

王山林 .

中国专利 :CN108365069B ,2018-08-03

[8]

一种采用MOCVD技术在GaN衬底或GaN/Al2O3复合衬底上制备高亮度同质LED的方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN105449051B ,2016-03-30

[9]

具有高亮度的LED芯片及其制备方法 [P].

朱秀山 ;

王倩静 ;

徐慧文 ;

李起鸣 ;

张宇 .

中国专利 :CN107026221A ,2017-08-08

[10]

一种高亮度倒装LED芯片及其制备方法 [P].

赵方方 ;

张中玉 ;

屈世康 ;

程青亚 .

中国专利 :CN119744059A ,2025-04-01

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