一种高亮度近紫外LED及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410836533.3

申请日：

2014-12-29

公开(公告)号：

CN104538521A

公开(公告)日：

2015-04-22

发明(设计)人：

贾传宇于彤军殷淑仪张国义童玉珍

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3314 H01L3306 H01L3332 H01L3300

代理机构：

北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360

代理人：

贾晓玲

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-29	授权	授权
2015-04-22	公开	公开
2015-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609901337 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2014108365333 申请日:20141229

共 50 条

[1]

一种高亮度近紫外LED及其外延生长方法 [P].

贾传宇 ;

于彤军 ;

殷淑仪 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN104485404A ,2015-04-01

[2]

一种采用MOCVD技术制备高亮度近紫外LED的方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN105449052A ,2016-03-30

[3]

高亮度LED制备工艺 [P].

白航空 .

中国专利 :CN107799631B ,2018-03-13

[4]

一种采用MOCVD技术制备370-380nm高亮度近紫外LED的方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN106033788A ,2016-10-19

[5]

一种高亮度LED芯片及其制备方法 [P].

曹志武 ;

王远红 ;

陈艳恒 .

中国专利 :CN105932133A ,2016-09-07

[6]

一种高亮度V型极化掺杂深紫外LED制备方法 [P].

尹以安 ;

王山林 .

中国专利 :CN108365069B ,2018-08-03

[7]

一种高亮度LED及其制备方法 [P].

张宇 ;

韩琳 .

中国专利 :CN111900240A ,2020-11-06

[8]

一种高亮度LED及其制备方法 [P].

张宇 ;

韩琳 .

中国专利 :CN111900240B ,2024-10-15

[9]

一种采用MOCVD技术制备具有阶梯式量子阱结构近紫外LED的方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN106033787A ,2016-10-19

[10]

高亮度LED灯具 [P].

毛游琴 .

中国专利 :CN209705748U ,2019-11-29

← 1 2 3 4 5 →