一种高亮度V型极化掺杂深紫外LED制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810118449.6

申请日：

2018-02-06

公开(公告)号：

CN108365069B

公开(公告)日：

2018-08-03

发明(设计)人：

尹以安王山林

申请人：

申请人地址：

510631 广东省广州市天河区中山大道西55号华南师范大学

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

广州圣理华知识产权代理有限公司 44302

代理人：

顿海舟;李唐明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-12	授权	授权
2021-12-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/14 登记生效日:20211202 变更事项:专利权人变更前权利人:华南师范大学变更后权利人:迪优未来科技（清远）有限公司变更事项:地址变更前权利人:510631 广东省广州市天河区中山大道西55号华南师范大学变更后权利人:511500 广东省清远市清远高新技术产业开发区创兴大道18号天安智谷科技产业园产业大厦T0218层01号
2018-08-03	公开	公开
2018-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/14 申请日:20180206

共 50 条

[1]

一种高亮度近紫外LED及其制备方法 [P].

贾传宇 ;

于彤军 ;

殷淑仪 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN104538521A ,2015-04-22

[2]

一种采用MOCVD技术制备高亮度近紫外LED的方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN105449052A ,2016-03-30

[3]

一种高亮度深紫外LED芯片结构及其制作方法 [P].

史伟言 ;

张磊 ;

刘建哲 ;

徐良 ;

李京波 ;

夏建白 .

中国专利 :CN111900236A ,2020-11-06

[4]

一种采用MOCVD技术制备370-380nm高亮度近紫外LED的方法 [P].

贾传宇 ;

殷淑仪 ;

张国义 .

中国专利 :CN106033788A ,2016-10-19

[5]

一种高亮度深紫外LED用图形化蓝宝石衬底及其制备方法 [P].

徐良 ;

郭炜 ;

孙海定 ;

李昌勋 ;

史伟言 ;

刘建哲 ;

李京波 ;

夏建白 .

中国专利 :CN111613704A ,2020-09-01

[6]

一种高亮度倒装LED芯片及其制备方法 [P].

赵方方 ;

张中玉 ;

屈世康 ;

程青亚 .

中国专利 :CN119744059A ,2025-04-01

[7]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法和深紫外LED [P].

徐孝灵 ;

黄小辉 ;

王小文 ;

康健 ;

郑远志 ;

陈向东 .

中国专利 :CN110112273B ,2019-08-09

[8]

一种高亮度近紫外LED及其外延生长方法 [P].

贾传宇 ;

于彤军 ;

殷淑仪 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN104485404A ,2015-04-01

[9]

一种深紫外LED外延结构及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115360276B ,2022-11-18

[10]

一种高亮度的LED芯片及其制备方法 [P].

茹浩 ;

鲁洋 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119170721A ,2024-12-20

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