横向扩散金属氧化物半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611087923.0

申请日：

2016-12-01

公开(公告)号：

CN108133962A

公开(公告)日：

2018-06-08

发明(设计)人：

沈明达张名辉荘智贤邱伟博

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-06-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20180608
2018-06-08	公开	公开

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法 [P].

林宗翰 ;

叶宜函 .

中国专利 :CN115206802B ,2025-11-04

[2]

横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法 [P].

李治华 ;

李健维 .

中国专利 :CN101286528A ,2008-10-15

[3]

横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法 [P].

林宗翰 ;

叶宜函 .

中国专利 :CN120751736A ,2025-10-03

[4]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

林宗翰 .

中国专利 :CN117673150A ,2024-03-08

[5]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

何大椿 ;

汤乾绍 ;

王哲谊 ;

钟于彰 .

中国专利 :CN101399287A ,2009-04-01

[6]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

游步东 ;

喻慧 ;

王猛 ;

杜益成 ;

彭川 ;

黄贤国 .

中国专利 :CN208385413U ,2019-01-15

[7]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

余荣伟 .

中国专利 :CN201732791U ,2011-02-02

[8]

横向扩散金属氧化物半导体元件的制作方法 [P].

黄柏睿 .

中国专利 :CN102044441A ,2011-05-04

[9]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

萧世楹 ;

洪佳民 .

中国专利 :CN106549052A ,2017-03-29

[10]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P].

林韦志 ;

徐志嘉 ;

黄胤富 .

中国专利 :CN108281484A ,2018-07-13

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