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横向扩散金属氧化物半导体结构
被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201020289701.9
申请日：
2010-08-12
公开(公告)号：
CN201732791U
公开(公告)日：
2011-02-02
发明(设计)人：
余荣伟
申请人：
申请人地址：
610041 四川省成都市高新区孵化园7号楼402室
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L2906
代理机构：
代理人：
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-10-08 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101587371114 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2010202897019 申请日:20100812 授权公告日:20110202 终止日期:20130812 |
| 2011-02-02 | 授权 | 授权 |
| 2014-03-26 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101699566581 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2010202897019 变更事项:专利权人 变更前:四川和芯微电子股份有限公司 变更后:四川和芯微电子股份有限公司 变更事项:地址 变更前:610041 四川省成都市高新区孵化园7号楼402室 变更后:610041 四川省成都市高新区吉泰路33号A座9楼 |