横向扩散金属氧化物半导体结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201020289701.9

申请日：

2010-08-12

公开(公告)号：

CN201732791U

公开(公告)日：

2011-02-02

发明(设计)人：

余荣伟

申请人：

申请人地址：

610041 四川省成都市高新区孵化园7号楼402室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

代理人：

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101587371114 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2010202897019 申请日:20100812 授权公告日:20110202 终止日期:20130812
2011-02-02	授权	授权
2014-03-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101699566581 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2010202897019 变更事项:专利权人变更前:四川和芯微电子股份有限公司变更后:四川和芯微电子股份有限公司变更事项:地址变更前:610041 四川省成都市高新区孵化园7号楼402室变更后:610041 四川省成都市高新区吉泰路33号A座9楼

共 50 条

[41]

横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法 [P].

林宗翰 ;

叶宜函 .

中国专利 :CN120751736A ,2025-10-03

[42]

横向扩散金属氧化物半导体器件 [P].

游步东 ;

喻慧 ;

王猛 ;

杜益成 ;

彭川 ;

宋洵奕 .

中国专利 :CN208240687U ,2018-12-14

[43]

横向扩散金属氧化物半导体器件 [P].

叶然 ;

边姣静 ;

何乃龙 ;

朱智涵 ;

戴奕欣 ;

张森 ;

刘斯扬 ;

孙伟锋 ;

邹敏 .

中国专利 :CN119967861A ,2025-05-09

[44]

自对准沟道型横向扩散金属氧化物半导体管的制作方法 [P].

董科 ;

张帅 .

中国专利 :CN101930925A ,2010-12-29

[45]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法 [P].

韩广涛 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN105990139A ,2016-10-05

[46]

高压横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构的制作方法 [P].

刘龙平 ;

令海阳 ;

陈爱军 ;

叶滋婧 ;

王颢 ;

黄庆丰 ;

杨华岳 .

中国专利 :CN101770983A ,2010-07-07

[47]

一种新型N柱超结结构横向扩散金属氧化物半导体 [P].

许凯 ;

蔡豪 ;

黄贇 .

中国专利 :CN117438473A ,2024-01-23

[48]

横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法 [P].

黄枫 ;

韩广涛 ;

孙贵鹏 ;

林峰 ;

赵龙杰 ;

林华堂 ;

赵兵 .

中国专利 :CN106158957A ,2016-11-23

[49]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

柯天麒 ;

姜鹏 ;

汤茂亮 .

中国专利 :CN108039371A ,2018-05-15

[50]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法 [P].

玛利安乌德瑞·斯班内 ;

法瑞尔玛瑞纳斯科 .

中国专利 :CN103715260B ,2014-04-09

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