横向扩散金属氧化物半导体元件

被引：0

申请号：

CN202110935538.1

申请日：

2021-08-16

公开(公告)号：

CN115706164A

公开(公告)日：

2023-02-17

发明(设计)人：

周玲君张宇宏李坤宪

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L27088

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-17	公开	公开

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体元件 [P].

陈柏安 .

中国专利 :CN101764153A ,2010-06-30

[2]

横向扩散金属氧化物半导体元件结构 [P].

颜挺洲 ;

黄柏睿 ;

林家康 ;

林宏泽 .

中国专利 :CN102044564A ,2011-05-04

[3]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

林宗翰 .

中国专利 :CN117673150A ,2024-03-08

[4]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

何大椿 ;

汤乾绍 ;

王哲谊 ;

钟于彰 .

中国专利 :CN101399287A ,2009-04-01

[5]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

游步东 ;

喻慧 ;

王猛 ;

杜益成 ;

彭川 ;

黄贤国 .

中国专利 :CN208385413U ,2019-01-15

[6]

横向扩散金属氧化物半导体装置 [P].

苏柏拉曼亚·加亚谢拉拉欧 ;

陈柏安 ;

韦维克 ;

陈旷举 ;

杨炯仕 .

中国专利 :CN111211171A ,2020-05-29

[7]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

余荣伟 .

中国专利 :CN201732791U ,2011-02-02

[8]

横向扩散金属氧化物半导体组件 [P].

林伟捷 ;

陈和泰 ;

林家福 ;

李柏贤 .

中国专利 :CN102299179A ,2011-12-28

[9]

高压横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

罗杰 ;

李文昌 ;

黄云川 ;

马力 ;

高继 ;

艾磊 ;

向可强 .

中国专利 :CN202434526U ,2012-09-12

[10]

横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法 [P].

李治华 ;

李健维 .

中国专利 :CN101286528A ,2008-10-15

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