横向扩散金属氧化物半导体结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201820799039.8

申请日：

2018-05-25

公开(公告)号：

CN208385413U

公开(公告)日：

2019-01-15

发明(设计)人：

游步东喻慧王猛杜益成彭川黄贤国

申请人：

申请人地址：

310012 浙江省杭州市西湖区文三路90号71幢A1501-A1505、A1509-A1511室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

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法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-15	授权	授权
2019-09-24	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 29/78 变更事项:专利权人变更前:矽力杰半导体技术（杭州）有限公司变更后:矽力杰半导体技术（杭州）有限公司变更事项:地址变更前:310012 浙江省杭州市西湖区文三路90号71幢A1501-A1505、A1509-A1511室变更后:310051 浙江省杭州市滨江区西兴街道联慧街6号

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

何大椿 ;

汤乾绍 ;

王哲谊 ;

钟于彰 .

中国专利 :CN101399287A ,2009-04-01

[2]

横向扩散金属氧化物半导体结构和其形成方法 [P].

游步东 ;

喻慧 ;

王猛 ;

杜益成 ;

彭川 ;

黄贤国 .

中国专利 :CN108682689A ,2018-10-19

[3]

高压横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

罗杰 ;

李文昌 ;

黄云川 ;

马力 ;

高继 ;

艾磊 ;

向可强 .

中国专利 :CN202434526U ,2012-09-12

[4]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

林宗翰 .

中国专利 :CN117673150A ,2024-03-08

[5]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

余荣伟 .

中国专利 :CN201732791U ,2011-02-02

[6]

横向扩散金属氧化物半导体元件结构 [P].

颜挺洲 ;

黄柏睿 ;

林家康 ;

林宏泽 .

中国专利 :CN102044564A ,2011-05-04

[7]

横向双扩散金属氧化物半导体 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN101847659A ,2010-09-29

[8]

横向扩散金属氧化物半导体装置 [P].

苏柏拉曼亚·加亚谢拉拉欧 ;

陈柏安 ;

韦维克 ;

陈旷举 ;

杨炯仕 .

中国专利 :CN111211171A ,2020-05-29

[9]

横向扩散金属氧化物半导体元件 [P].

陈柏安 .

中国专利 :CN101764153A ,2010-06-30

[10]

横向扩散金属氧化物半导体组件 [P].

林伟捷 ;

陈和泰 ;

林家福 ;

李柏贤 .

中国专利 :CN102299179A ,2011-12-28

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