横向扩散金属氧化物半导体组件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010219200.8

申请日：

2010-06-25

公开(公告)号：

CN102299179A

公开(公告)日：

2011-12-28

发明(设计)人：

林伟捷陈和泰林家福李柏贤

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910

代理机构：

北京市浩天知识产权代理事务所 11276

代理人：

刘云贵

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-09	授权	授权
2011-12-28	公开	公开
2012-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101185110042 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2010102192008 申请日:20100625

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

余荣伟 .

中国专利 :CN201732791U ,2011-02-02

[2]

高压横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

罗杰 ;

李文昌 ;

黄云川 ;

马力 ;

高继 ;

艾磊 ;

向可强 .

中国专利 :CN202434526U ,2012-09-12

[3]

横向双扩散金属氧化物半导体 [P].

刘正超 .

中国专利 :CN101847659A ,2010-09-29

[4]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

林宗翰 .

中国专利 :CN117673150A ,2024-03-08

[5]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

何大椿 ;

汤乾绍 ;

王哲谊 ;

钟于彰 .

中国专利 :CN101399287A ,2009-04-01

[6]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

游步东 ;

喻慧 ;

王猛 ;

杜益成 ;

彭川 ;

黄贤国 .

中国专利 :CN208385413U ,2019-01-15

[7]

横向扩散金属氧化物半导体装置 [P].

苏柏拉曼亚·加亚谢拉拉欧 ;

陈柏安 ;

韦维克 ;

陈旷举 ;

杨炯仕 .

中国专利 :CN111211171A ,2020-05-29

[8]

横向扩散金属氧化物半导体元件 [P].

陈柏安 .

中国专利 :CN101764153A ,2010-06-30

[9]

横向扩散金属氧化物半导体元件 [P].

周玲君 ;

张宇宏 ;

李坤宪 .

中国专利 :CN115706164A ,2023-02-17

[10]

横向扩散金属氧化物半导体的制备方法 [P].

令海阳 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN109103106B ,2018-12-28

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