横向扩散金属氧化物半导体的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810882399.9

申请日：

2018-08-06

公开(公告)号：

CN109103106B

公开(公告)日：

2018-12-28

发明(设计)人：

令海阳刘宪周

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2940

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-28	公开	公开
2021-08-20	授权	授权
2019-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20180806

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体的制备方法 [P].

令海阳 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN108899281A ,2018-11-27

[2]

横向扩散金属氧化物半导体及其制备方法 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107644817A ,2018-01-30

[3]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

余荣伟 .

中国专利 :CN201732791U ,2011-02-02

[4]

横向扩散金属氧化物半导体组件 [P].

林伟捷 ;

陈和泰 ;

林家福 ;

李柏贤 .

中国专利 :CN102299179A ,2011-12-28

[5]

横向扩散金属氧化物半导体的制备方法和器件 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

吴波 ;

陈燕宁 ;

刘芳 ;

邓永锋 ;

王凯 ;

余山 ;

付振 ;

郁文 ;

刘倩倩 ;

王帅鹏 .

中国专利 :CN114823482B ,2022-07-29

[6]

横向扩散金属氧化物半导体元件结构 [P].

颜挺洲 ;

黄柏睿 ;

林家康 ;

林宏泽 .

中国专利 :CN102044564A ,2011-05-04

[7]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

林宗翰 .

中国专利 :CN117673150A ,2024-03-08

[8]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

何大椿 ;

汤乾绍 ;

王哲谊 ;

钟于彰 .

中国专利 :CN101399287A ,2009-04-01

[9]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

游步东 ;

喻慧 ;

王猛 ;

杜益成 ;

彭川 ;

黄贤国 .

中国专利 :CN208385413U ,2019-01-15

[10]

横向扩散金属氧化物半导体装置 [P].

苏柏拉曼亚·加亚谢拉拉欧 ;

陈柏安 ;

韦维克 ;

陈旷举 ;

杨炯仕 .

中国专利 :CN111211171A ,2020-05-29

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