横向扩散金属氧化物半导体元件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910207748.8

申请日：

2009-10-22

公开(公告)号：

CN102044564A

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

颜挺洲黄柏睿林家康林宏泽

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29417 H01L29423 H01L2906

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101622624555 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009102077488 申请公布日:20110504
2011-05-04	公开	公开

共 50 条

[1]

横向扩散金属氧化物半导体元件 [P].

陈柏安 .

中国专利 :CN101764153A ,2010-06-30

[2]

横向扩散金属氧化物半导体元件 [P].

周玲君 ;

张宇宏 ;

李坤宪 .

中国专利 :CN115706164A ,2023-02-17

[3]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

林宗翰 .

中国专利 :CN117673150A ,2024-03-08

[4]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

何大椿 ;

汤乾绍 ;

王哲谊 ;

钟于彰 .

中国专利 :CN101399287A ,2009-04-01

[5]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

游步东 ;

喻慧 ;

王猛 ;

杜益成 ;

彭川 ;

黄贤国 .

中国专利 :CN208385413U ,2019-01-15

[6]

横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

余荣伟 .

中国专利 :CN201732791U ,2011-02-02

[7]

高压横向扩散金属氧化物半导体结构 [P].

罗杰 ;

李文昌 ;

黄云川 ;

马力 ;

高继 ;

艾磊 ;

向可强 .

中国专利 :CN202434526U ,2012-09-12

[8]

横向扩散金属氧化物半导体装置 [P].

苏柏拉曼亚·加亚谢拉拉欧 ;

陈柏安 ;

韦维克 ;

陈旷举 ;

杨炯仕 .

中国专利 :CN111211171A ,2020-05-29

[9]

横向扩散金属氧化物半导体组件 [P].

林伟捷 ;

陈和泰 ;

林家福 ;

李柏贤 .

中国专利 :CN102299179A ,2011-12-28

[10]

横向扩散金属氧化物半导体晶体管结构 [P].

刘龙平 ;

令海阳 ;

陈爱军 .

中国专利 :CN101707209A ,2010-05-12

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