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横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110388841.4
申请日：
2021-04-12
公开(公告)号：
CN115206802B
公开(公告)日：
2025-11-04
发明(设计)人：
林宗翰 叶宜函
申请人：
联华电子股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新竹市
IPC主分类号：
H10D30/01
IPC分类号：
H10D30/65 H10D64/00
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
陈小雯
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-04 授权 授权
共 50 条
[1]
横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法 [P]. 
李治华 ;
李健维 .
中国专利 :CN101286528A ,2008-10-15
[2]
横向扩散金属氧化物半导体元件及其制作方法 [P]. 
林宗翰 ;
叶宜函 .
中国专利 :CN120751736A ,2025-10-03
[3]
横向扩散金属氧化物半导体元件的制作方法 [P]. 
黄柏睿 .
中国专利 :CN102044441A ,2011-05-04
[4]
横向扩散金属氧化物半导体结构及其制作方法 [P]. 
沈明达 ;
张名辉 ;
荘智贤 ;
邱伟博 .
中国专利 :CN108133962A ,2018-06-08
[5]
横向扩散金属氧化物半导体元件 [P]. 
陈柏安 .
中国专利 :CN101764153A ,2010-06-30
[6]
横向扩散金属氧化物半导体元件 [P]. 
周玲君 ;
张宇宏 ;
李坤宪 .
中国专利 :CN115706164A ,2023-02-17
[7]
横向扩散金属氧化物半导体元件结构 [P]. 
颜挺洲 ;
黄柏睿 ;
林家康 ;
林宏泽 .
中国专利 :CN102044564A ,2011-05-04
[8]
横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P]. 
萧世楹 ;
洪佳民 .
中国专利 :CN106549052A ,2017-03-29
[9]
横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P]. 
林韦志 ;
徐志嘉 ;
黄胤富 .
中国专利 :CN108281484A ,2018-07-13
[10]
横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制作方法 [P]. 
纪刚 ;
顾建平 .
中国专利 :CN103390645A ,2013-11-13
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