掺杂多晶硅层的形成方法以及半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510053246.X

申请日：

2015-02-02

公开(公告)号：

CN105990121A

公开(公告)日：

2016-10-05

发明(设计)人：

林静禹国宾

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21285

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

应战;骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-29	授权	授权
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101686679086 IPC(主分类):H01L 21/285 专利申请号:201510053246X 申请日:20150202
2016-10-05	公开	公开

共 50 条

[1]

掺杂多晶硅薄膜的形成方法 [P].

袁成松 .

中国专利 :CN120809570A ,2025-10-17

[2]

掺杂多晶硅的刻蚀方法、半导体器件及其形成方法和半导体工艺设备 [P].

王亚杰 ;

杨海超 ;

李红志 ;

钟涛 .

中国专利 :CN120767197A ,2025-10-10

[3]

多晶硅层的形成方法 [P].

许忠义 .

中国专利 :CN103325665B ,2013-09-25

[4]

多晶硅薄膜形成方法和半导体结构的形成方法 [P].

李泓博 ;

高杏 .

中国专利 :CN111725058A ,2020-09-29

[5]

一种多晶硅层形成方法、多晶硅层以及半导体结构 [P].

吴家伟 ;

王喜勤 ;

吕佐文 .

中国专利 :CN111979524A ,2020-11-24

[6]

形成多晶硅电阻的方法及半导体器件 [P].

夏禹 ;

刘丽丽 .

中国专利 :CN105336575B ,2016-02-17

[7]

多晶硅栅极、半导体器件及其形成方法 [P].

张海洋 ;

杜珊珊 ;

马擎天 .

中国专利 :CN101593684B ,2009-12-02

[8]

源/漏的形成方法以及半导体器件的形成方法 [P].

黄秋铭 ;

谭俊 ;

颜强 .

中国专利 :CN107658227B ,2018-02-02

[9]

栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 [P].

杨红 ;

马雪丽 ;

王文武 ;

韩锴 ;

王晓磊 ;

殷华湘 ;

闫江 .

中国专利 :CN103545191A ,2014-01-29

[10]

栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 [P].

杨红 ;

马雪丽 ;

王文武 ;

韩锴 ;

王晓磊 ;

殷华湘 ;

闫江 .

中国专利 :CN103545190A ,2014-01-29

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