源/漏的形成方法以及半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710882857.4

申请日：

2017-09-26

公开(公告)号：

CN107658227B

公开(公告)日：

2018-02-02

发明(设计)人：

黄秋铭谭俊颜强

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

智云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20170926
2020-04-10	授权	授权
2018-02-02	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件的形成方法 [P].

何志斌 ;

景旭斌 .

中国专利 :CN105575815A ,2016-05-11

[2]

半导体器件的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

何其暘 .

中国专利 :CN106298669A ,2017-01-04

[3]

半导体器件的形成方法 [P].

赵杰 .

中国专利 :CN105225937A ,2016-01-06

[4]

半导体器件的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN104681420B ,2015-06-03

[5]

半导体器件的形成方法 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN104733309A ,2015-06-24

[6]

栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 [P].

杨红 ;

马雪丽 ;

王文武 ;

韩锴 ;

王晓磊 ;

殷华湘 ;

闫江 .

中国专利 :CN103545191A ,2014-01-29

[7]

栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件 [P].

杨红 ;

马雪丽 ;

王文武 ;

韩锴 ;

王晓磊 ;

殷华湘 ;

闫江 .

中国专利 :CN103545190A ,2014-01-29

[8]

半导体器件的形成方法 [P].

王中磊 .

中国专利 :CN111180395B ,2020-05-19

[9]

半导体器件的形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN113140459B ,2021-07-20

[10]

半导体器件的形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103094192A ,2013-05-08

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