一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法

被引：0

申请号：

CN202111551300.5

申请日：

2021-12-17

公开(公告)号：

CN114384051A

公开(公告)日：

2022-04-22

发明(设计)人：

彭燕于金英杨祥龙胡小波徐现刚

申请人：

申请人地址：

250000 山东省济南市山大南路27号

IPC主分类号：

G01N2164

IPC分类号：

G01N144 G01B1124 H01L2102 H01L2166

代理机构：

山东宏康知识产权代理有限公司 37322

代理人：

孙银行

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 21/64 申请日:20211217
2022-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法 [P].

窦瑛 ;

徐永宽 ;

洪颖 ;

杨丹丹 ;

高飞 .

中国专利 :CN107991230A ,2018-05-04

[2]

一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法 [P].

陶莹 ;

高宇 ;

邓树军 ;

赵梅玉 ;

段聪 .

中国专利 :CN103630708A ,2014-03-12

[3]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746324B ,2024-04-30

[4]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746324A ,2021-05-04

[5]

碳化硅晶片缺陷的检测方法 [P].

彭铁坤 ;

韩景瑞 ;

丁雄傑 ;

何明 .

中国专利 :CN119643564A ,2025-03-18

[6]

碳化硅晶片的制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统 [P].

金政圭 ;

具甲烈 ;

徐正斗 ;

崔正宇 ;

朴钟辉 .

韩国专利 :CN114762995B ,2024-04-26

[7]

碳化硅晶片的制造方法、碳化硅晶片和制造晶片的系统 [P].

金政圭 ;

具甲烈 ;

徐正斗 ;

崔正宇 ;

朴钟辉 .

中国专利 :CN114762995A ,2022-07-19

[8]

一种辨别导电型碳化硅晶片硅面和碳面的方法 [P].

王升 ;

贺贤汉 ;

李有群 ;

陈辉 .

中国专利 :CN114509459B ,2025-03-21

[9]

一种辨别导电型碳化硅晶片硅面和碳面的方法 [P].

王升 ;

贺贤汉 ;

李有群 ;

陈辉 .

中国专利 :CN114509459A ,2022-05-17

[10]

一种碳化硅晶片清洗方法 [P].

贺贤汉 ;

赖章田 ;

陈有生 .

中国专利 :CN115376892A ,2022-11-22

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