一种辨别导电型碳化硅晶片硅面和碳面的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210186965.9

申请日：

2022-02-28

公开(公告)号：

CN114509459B

公开(公告)日：

2025-03-21

发明(设计)人：

王升贺贤汉李有群陈辉

申请人：

安徽微芯长江半导体材料有限公司

申请人地址：

244000 安徽省铜陵市经济开发区西湖三路

IPC主分类号：

G01N23/207

IPC分类号：

代理机构：

铜陵市天成专利事务所(普通合伙) 34105

代理人：

李坤

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省铜陵市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-21	授权	授权

共 50 条

[1]

一种辨别导电型碳化硅晶片硅面和碳面的方法 [P].

王升 ;

贺贤汉 ;

李有群 ;

陈辉 .

中国专利 :CN114509459A ,2022-05-17

[2]

一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法 [P].

窦瑛 ;

徐永宽 ;

洪颖 ;

杨丹丹 ;

高飞 .

中国专利 :CN107991230A ,2018-05-04

[3]

一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法 [P].

陶莹 ;

高宇 ;

邓树军 ;

赵梅玉 ;

段聪 .

中国专利 :CN103630708A ,2014-03-12

[4]

一种低成本辨别碳化硅晶片硅碳面的方法 [P].

高冰 ;

朱玲渊 .

中国专利 :CN120244718A ,2025-07-04

[5]

一种低成本辨别碳化硅晶片硅碳面的方法 [P].

高冰 ;

朱玲渊 .

中国专利 :CN120244718B ,2025-10-24

[6]

用于确定导电型碳化硅晶片的硅面和碳面的方法 [P].

李辉 ;

陈小龙 ;

王国宾 ;

盛达 ;

王文军 .

中国专利 :CN115436663A ,2022-12-06

[7]

一种区分碳化硅晶片硅面和碳面的方法 [P].

陈延昌 ;

杨方慧 ;

付健行 ;

吴殿瑞 ;

李宝盛 ;

高宇晗 ;

赵树春 ;

宋生 ;

杨晓俐 ;

刘家朋 .

中国专利 :CN116429869B ,2025-10-28

[8]

用于确定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法 [P].

陈小龙 ;

盛达 ;

王国宾 ;

王文军 ;

郭建刚 ;

李辉 .

中国专利 :CN116165339B ,2025-03-21

[9]

一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法 [P].

彭燕 ;

于金英 ;

杨祥龙 ;

胡小波 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN114384051A ,2022-04-22

[10]

一种碳化硅晶片的清洗方法和清洗后碳化硅晶片 [P].

李文文 ;

宋贤震 ;

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN119725077A ,2025-03-28

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