一种低成本辨别碳化硅晶片硅碳面的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510694297.4

申请日：

2025-05-28

公开(公告)号：

CN120244718B

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

高冰朱玲渊

申请人：

浙江晶越半导体有限公司

申请人地址：

312400 浙江省绍兴市嵊州市浦口街道浦南大道368号9号厂房二楼202室

IPC主分类号：

B24B1/00

IPC分类号：

B24B9/06 B24B49/00 B24B47/20 B24B49/12 H01L21/02 H01L21/66

代理机构：

浙江金杜智源知识产权代理有限公司 33511

代理人：

葛天祥

法律状态：

授权

国省代码：

浙江省绍兴市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	授权	授权
2025-07-04	公开	公开
2025-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B24B 1/00申请日:20250528

共 50 条

[1]

一种低成本辨别碳化硅晶片硅碳面的方法 [P].

高冰 ;

朱玲渊 .

中国专利 :CN120244718A ,2025-07-04

[2]

一种辨别碳化硅晶片碳硅面的方法 [P].

窦瑛 ;

徐永宽 ;

洪颖 ;

杨丹丹 ;

高飞 .

中国专利 :CN107991230A ,2018-05-04

[3]

一种辨别碳化硅晶片硅碳面的方法 [P].

陶莹 ;

高宇 ;

邓树军 ;

赵梅玉 ;

段聪 .

中国专利 :CN103630708A ,2014-03-12

[4]

一种辨别导电型碳化硅晶片硅面和碳面的方法 [P].

王升 ;

贺贤汉 ;

李有群 ;

陈辉 .

中国专利 :CN114509459A ,2022-05-17

[5]

一种辨别导电型碳化硅晶片硅面和碳面的方法 [P].

王升 ;

贺贤汉 ;

李有群 ;

陈辉 .

中国专利 :CN114509459B ,2025-03-21

[6]

一种区分碳化硅晶片硅面和碳面的方法 [P].

陈延昌 ;

杨方慧 ;

付健行 ;

吴殿瑞 ;

李宝盛 ;

高宇晗 ;

赵树春 ;

宋生 ;

杨晓俐 ;

刘家朋 .

中国专利 :CN116429869B ,2025-10-28

[7]

一种在晶片碳面辨别碳化硅晶片中缺陷的方法 [P].

彭燕 ;

于金英 ;

杨祥龙 ;

胡小波 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN114384051A ,2022-04-22

[8]

用于确定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法 [P].

陈小龙 ;

盛达 ;

王国宾 ;

王文军 ;

郭建刚 ;

李辉 .

中国专利 :CN116165339B ,2025-03-21

[9]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746324B ,2024-04-30

[10]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746324A ,2021-05-04

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