半导体衬底的清洗方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN99121769.1

申请日：

1999-08-27

公开(公告)号：

CN1119831C

公开(公告)日：

2000-04-12

发明(设计)人：

高石和成高田凉子

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21304

IPC分类号：

H01L21306 B08B304 C23F116

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

龙传红

法律状态：

实质审查请求的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-03-15	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
2000-04-12	公开	公开
2003-12-17	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更变更事项:专利权人变更前:三菱硅材料株式会社;三菱材料株式会社变更后:三菱住友硅晶株式会社;三菱材料株式会社
2011-12-07	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101231307529 IPC(主分类):H01L 21/304 专利号:ZL991217691 变更事项:专利权人变更前:三菱住友硅晶株式会社变更后:胜高股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京都变更后:日本东京都变更事项:共同专利权人变更前:三菱材料株式会社变更后:三菱材料株式会社
2011-12-07	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101231307535 IPC(主分类):H01L 21/304 专利号:ZL991217691 变更事项:专利权人变更前权利人:胜高股份有限公司变更后权利人:胜高股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都变更事项:共同专利权人变更前权利人:三菱材料株式会社变更后权利人:无登记生效日:20111028
2019-09-20	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/304 申请日:19990827 授权公告日:20030827
2003-08-27	授权	授权

共 50 条

[1]

一种清洗半导体衬底的方法 [P].

谢志勇 .

中国专利 :CN107863288A ,2018-03-30

[2]

半导体衬底的清洗方法及清洗装置 [P].

张晨膑 ;

叶斐 ;

刘红兵 ;

张志清 ;

黎敬 ;

陈猛 .

中国专利 :CN120432380A ,2025-08-05

[3]

半导体衬底清洗台 [P].

李昭静 ;

石志奎 ;

王泽华 .

中国专利 :CN218424421U ,2023-02-03

[4]

半导体衬底清洗装置 [P].

陈勇 ;

朱刘 ;

刘留 .

中国专利 :CN205303427U ,2016-06-08

[5]

清洗半导体衬底的方法和装置 [P].

王晖 ;

陈福发 ;

陈福平 ;

王坚 ;

王希 ;

张晓燕 ;

金一诺 ;

贾照伟 ;

谢良智 ;

王俊 ;

李学军 .

中国专利 :CN107636799B ,2018-01-26

[6]

清洗半导体衬底的方法和装置 [P].

王俊 ;

王晖 ;

陈福发 ;

陈福平 ;

王坚 ;

王希 ;

张晓燕 ;

金一诺 ;

贾照伟 ;

谢良智 ;

李学军 .

中国专利 :CN109075103B ,2018-12-21

[7]

半导体衬底的清洗方法及装置 [P].

曹梦雪 ;

刘浦锋 ;

陈猛 .

中国专利 :CN121075904A ,2025-12-05

[8]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[9]

半导体衬底的制备方法及半导体衬底 [P].

邱宇航 ;

周颖 ;

洪纪伦 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN109326516A ,2019-02-12

[10]

半导体衬底以及半导体衬底的制造方法 [P].

内田英次 .

日本专利 :CN119744434A ,2025-04-01

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