清洗半导体衬底的方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580080188.8

申请日：

2015-05-20

公开(公告)号：

CN107636799B

公开(公告)日：

2018-01-26

发明(设计)人：

王晖陈福发陈福平王坚王希张晓燕金一诺贾照伟谢良智王俊李学军

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

B08B312 B08B310

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

陆嘉

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-17	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更事项:申请人变更前:盛美半导体设备(上海)有限公司变更后:盛美半导体设备(上海)股份有限公司变更事项:地址变更前:201203 上海市浦东新区中国上海浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢变更后:201203 上海市浦东新区自由贸易试验区蔡伦路1690号第4幢
2018-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20150520
2018-01-26	公开	公开
2021-12-03	授权	授权

共 50 条

[1]

清洗半导体衬底的方法和装置 [P].

王俊 ;

王晖 ;

陈福发 ;

陈福平 ;

王坚 ;

王希 ;

张晓燕 ;

金一诺 ;

贾照伟 ;

谢良智 ;

李学军 .

中国专利 :CN109075103B ,2018-12-21

[2]

半导体衬底的清洗方法 [P].

高石和成 ;

高田凉子 .

中国专利 :CN1119831C ,2000-04-12

[3]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

吉田佳子 ;

山口泰男 ;

成冈英树 ;

岩松俊明 ;

木村泰広 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1223458A ,1999-07-21

[4]

半导体衬底的处理方法和半导体衬底 [P].

岩松俊明 ;

山口泰男 ;

前田茂伸 ;

一法师隆志 ;

平野有一 .

中国专利 :CN1115716C ,1999-04-14

[5]

半导体衬底清洗装置 [P].

陈勇 ;

朱刘 ;

刘留 .

中国专利 :CN205303427U ,2016-06-08

[6]

半导体衬底的清洗方法及清洗装置 [P].

张晨膑 ;

叶斐 ;

刘红兵 ;

张志清 ;

黎敬 ;

陈猛 .

中国专利 :CN120432380A ,2025-08-05

[7]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[8]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[9]

半导体衬底的制造方法和半导体衬底的制造装置 [P].

金子忠昭 ;

小岛清 .

中国专利 :CN114423888A ,2022-04-29

[10]

半导体衬底的清洗方法及装置 [P].

曹梦雪 ;

刘浦锋 ;

陈猛 .

中国专利 :CN121075904A ,2025-12-05

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