半导体衬底的清洗方法及清洗装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510486271.0

申请日：

2025-04-17

公开(公告)号：

CN120432380A

公开(公告)日：

2025-08-05

发明(设计)人：

张晨膑叶斐刘红兵张志清黎敬陈猛

申请人：

上海超硅半导体股份有限公司重庆超硅半导体有限公司

申请人地址：

201616 上海市松江区鼎松路150弄1-15号

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

B08B3/02 B08B3/08 B08B13/00 H01L21/67

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

赵娟娟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

重庆市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20250417
2025-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体衬底的清洗方法及装置 [P].

曹梦雪 ;

刘浦锋 ;

陈猛 .

中国专利 :CN121075904A ,2025-12-05

[2]

半导体衬底清洗装置 [P].

陈勇 ;

朱刘 ;

刘留 .

中国专利 :CN205303427U ,2016-06-08

[3]

半导体衬底的清洗方法 [P].

高石和成 ;

高田凉子 .

中国专利 :CN1119831C ,2000-04-12

[4]

SOI衬底边缘的清洗方法及清洗装置 [P].

张晨膑 ;

叶斐 ;

刘红兵 ;

张志清 ;

李宣扬 ;

陈猛 .

中国专利 :CN120432379A ,2025-08-05

[5]

清洗半导体衬底的方法和装置 [P].

王晖 ;

陈福发 ;

陈福平 ;

王坚 ;

王希 ;

张晓燕 ;

金一诺 ;

贾照伟 ;

谢良智 ;

王俊 ;

李学军 .

中国专利 :CN107636799B ,2018-01-26

[6]

清洗半导体衬底的方法和装置 [P].

王俊 ;

王晖 ;

陈福发 ;

陈福平 ;

王坚 ;

王希 ;

张晓燕 ;

金一诺 ;

贾照伟 ;

谢良智 ;

李学军 .

中国专利 :CN109075103B ,2018-12-21

[7]

半导体衬底的原位背面清洗 [P].

叶明熙 ;

庄国胜 ;

张简瑛雪 ;

杨棋铭 ;

林进祥 .

中国专利 :CN103008298A ,2013-04-03

[8]

半导体衬底的原位背面清洗 [P].

叶明熙 ;

庄国胜 ;

张简瑛雪 ;

杨棋铭 ;

林进祥 .

中国专利 :CN107068594A ,2017-08-18

[9]

半导体清洗装置及半导体清洗方法 [P].

孙卫明 ;

常靖华 ;

周维杰 .

中国专利 :CN117373957A ,2024-01-09

[10]

半导体衬底清洗方法及调整方法 [P].

范世炜 ;

姚雷 ;

国子明 ;

张凌越 .

中国专利 :CN111370298A ,2020-07-03

← 1 2 3 4 5 →