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半导体衬底的原位背面清洗
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201710233807.3
申请日
:
2012-08-28
公开(公告)号
:
CN107068594A
公开(公告)日
:
2017-08-18
发明(设计)人
:
叶明熙
庄国胜
张简瑛雪
杨棋铭
林进祥
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹
IPC主分类号
:
H01L2167
IPC分类号
:
代理机构
:
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人
:
章社杲;李伟
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-08-18
公开
公开
2017-09-12
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101747189105 IPC(主分类):H01L 21/67 专利申请号:2017102338073 申请日:20120828
2021-02-26
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体衬底的原位背面清洗
[P].
叶明熙
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叶明熙
;
庄国胜
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庄国胜
;
张简瑛雪
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张简瑛雪
;
杨棋铭
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杨棋铭
;
林进祥
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林进祥
.
中国专利
:CN103008298A
,2013-04-03
[2]
半导体衬底的背面密封
[P].
高珺贤
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朗姆研究公司
朗姆研究公司
高珺贤
;
杨慧慧
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
杨慧慧
;
王栋
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
王栋
;
苏玛娜·哈玛
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朗姆研究公司
朗姆研究公司
苏玛娜·哈玛
;
雷通
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朗姆研究公司
朗姆研究公司
雷通
;
迟玉山
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机构:
朗姆研究公司
朗姆研究公司
迟玉山
.
美国专利
:CN120656944A
,2025-09-16
[3]
半导体衬底的清洗方法及清洗装置
[P].
张晨膑
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机构:
上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
张晨膑
;
叶斐
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机构:
上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
叶斐
;
刘红兵
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上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
刘红兵
;
张志清
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机构:
上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
张志清
;
黎敬
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上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
黎敬
;
陈猛
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机构:
上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
陈猛
.
中国专利
:CN120432380A
,2025-08-05
[4]
半导体衬底的清洗方法
[P].
高石和成
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高石和成
;
高田凉子
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高田凉子
.
中国专利
:CN1119831C
,2000-04-12
[5]
半导体衬底的清洗方法及装置
[P].
曹梦雪
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上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
曹梦雪
;
刘浦锋
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机构:
上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
刘浦锋
;
陈猛
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机构:
上海超硅半导体股份有限公司
上海超硅半导体股份有限公司
陈猛
.
中国专利
:CN121075904A
,2025-12-05
[6]
半导体衬底清洗台
[P].
李昭静
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李昭静
;
石志奎
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石志奎
;
王泽华
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王泽华
.
中国专利
:CN218424421U
,2023-02-03
[7]
半导体衬底清洗装置
[P].
陈勇
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陈勇
;
朱刘
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朱刘
;
刘留
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刘留
.
中国专利
:CN205303427U
,2016-06-08
[8]
半导体衬底
[P].
伊藤冬马
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伊藤冬马
;
小出辰彦
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小出辰彦
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中岛宽记
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中岛宽记
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矢内有美
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矢内有美
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杉田智彦
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杉田智彦
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北川白马
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北川白马
;
守田峻海
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守田峻海
.
中国专利
:CN214625048U
,2021-11-05
[9]
一种半导体衬底清洗设备
[P].
傅梅英
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傅梅英
.
中国专利
:CN112090855A
,2020-12-18
[10]
半导体衬底的原位净化方法和半导体器件制造方法
[P].
申东石
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申东石
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李化成
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李化成
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上野哲嗣
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上野哲嗣
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李浩
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李浩
;
李承换
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李承换
.
中国专利
:CN1825543A
,2006-08-30
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