用于半导体功能材料表面缺陷调控的等离子体反应装置

被引：0

申请号：

CN202220682440.X

申请日：

2022-03-28

公开(公告)号：

CN217484249U

公开(公告)日：

2022-09-23

发明(设计)人：

马相聪桑春晖伊创钱汉

申请人：

申请人地址：

471023 河南省洛阳市洛龙区开元大道河南科技大学开元校区

IPC主分类号：

G01N2762

IPC分类号：

代理机构：

北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491

代理人：

马雯

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-23	授权	授权

共 50 条

[1]

用于半导体功能材料表面缺陷调控的等离子体反应装置 [P].

隋美蓉 ;

唐鹤云 ;

刘琳琳 .

中国专利 :CN214277995U ,2021-09-24

[2]

等离子体反应装置 [P].

管长乐 .

中国专利 :CN1848372A ,2006-10-18

[3]

基于表面等离子体波的半导体缺陷检测方法 [P].

杨涛 ;

何浩培 ;

李兴鳌 ;

周馨慧 ;

黄维 .

中国专利 :CN102636491B ,2012-08-15

[4]

用于干洗半导体基板的等离子体装置 [P].

金仁俊 ;

李佶洸 ;

林斗镐 ;

朴在阳 ;

金珍泳 .

中国专利 :CN111492460A ,2020-08-04

[5]

用于半导体处理的等离子体源 [P].

弗拉基米尔·纳戈尔尼 .

美国专利 :CN115868001B ,2025-08-29

[6]

等离子体调控装置及半导体工艺设备 [P].

范唯 ;

赵时琳 ;

李凯 ;

邱勇 ;

邓雅天 ;

宋蕾 ;

张峻赫 ;

卢雪妮 .

中国专利 :CN121171866A ,2025-12-19

[7]

半导体等离子刻蚀腔体等离子体聚焦环 [P].

廖海涛 .

中国专利 :CN212392208U ,2021-01-22

[8]

等离子体反应方法和等离子体反应装置 [P].

石川泰男 .

中国专利 :CN115380629A ,2022-11-22

[9]

耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

杨金全 ;

陈星建 ;

黄允文 .

中国专利 :CN114496690A ,2022-05-13

[10]

耐等离子体半导体零部件和形成方法、等离子体反应装置 [P].

段蛟 ;

杨金全 ;

陈星建 ;

黄允文 .

中国专利 :CN114496690B ,2024-12-13

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