半导体电路和半导体电路的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110460162.3

申请日：

2021-04-27

公开(公告)号：

CN113161340A

公开(公告)日：

2021-07-23

发明(设计)人：

左安超谢荣才王敏

申请人：

申请人地址：

528000 广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一

IPC主分类号：

H01L2516

IPC分类号：

H01L23488 H01L2349 H01L2331 H01L23367 H01L2150 H01L2156

代理机构：

深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙) 44719

代理人：

唐文波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-23	公开	公开
2021-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/16 申请日:20210427

共 50 条

[1]

半导体电路和半导体电路的制造方法 [P].

左安超 ;

谢荣才 ;

王敏 .

中国专利 :CN113161340B ,2025-05-02

[2]

半导体电路和半导体电路的制造方法 [P].

王敏 ;

左安超 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN115425071A ,2022-12-02

[3]

半导体电路和半导体电路的制造方法 [P].

王敏 ;

左安超 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN113113401A ,2021-07-13

[4]

半导体电路和半导体电路的制造方法 [P].

王敏 ;

左安超 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN113113400B ,2024-10-18

[5]

半导体电路和半导体电路的制造方法 [P].

王敏 ;

左安超 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN113113401B ,2024-09-13

[6]

半导体电路和半导体电路的制造方法 [P].

王敏 ;

左安超 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN113113400A ,2021-07-13

[7]

半导体电路和半导体电路的制造方法 [P].

冯宇翔 ;

黄浩 ;

张土明 .

中国专利 :CN114188292A ,2022-03-15

[8]

半导体电路和半导体电路的制造方法 [P].

冯宇翔 ;

潘志坚 ;

张土明 ;

谢荣才 .

中国专利 :CN113825301A ,2021-12-21

[9]

半导体电路和半导体电路的制造方法 [P].

冯宇翔 ;

潘志坚 ;

张土明 ;

左安超 .

中国专利 :CN113809020A ,2021-12-17

[10]

半导体电路和半导体电路的制造方法 [P].

冯宇翔 .

中国专利 :CN113851434A ,2021-12-28

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