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半导体电路和半导体电路的制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111430389.X
申请日：
2021-11-29
公开(公告)号：
CN114188292A
公开(公告)日：
2022-03-15
发明(设计)人：
冯宇翔 黄浩 张土明
申请人：
申请人地址：
528000 广东省佛山市南海区丹灶镇仙湖度假区养生路10号之一
IPC主分类号：
H01L23367
IPC分类号：
H01L2518 H01L2150
代理机构：
深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙) 44719
代理人：
陈建昌
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-04-01 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/367 申请日:20211129
2022-03-15 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体电路 [P]. 
冯宇翔 ;
黄浩 ;
张土明 .
中国专利 :CN216413057U ,2022-04-29
[2]
半导体电路和半导体电路的制造方法 [P]. 
冯宇翔 ;
潘志坚 ;
张土明 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN113825301A ,2021-12-21
[3]
半导体电路和半导体电路的制造方法 [P]. 
冯宇翔 ;
潘志坚 ;
张土明 ;
左安超 .
中国专利 :CN113809020A ,2021-12-17
[4]
半导体电路和半导体电路的制造方法 [P]. 
冯宇翔 .
中国专利 :CN113851434A ,2021-12-28
[5]
半导体电路和半导体电路的制造方法 [P]. 
冯宇翔 .
中国专利 :CN114038812A ,2022-02-11
[6]
半导体电路和半导体电路的制造方法 [P]. 
冯宇翔 ;
左安超 ;
谢荣才 ;
张土明 .
中国专利 :CN114038811A ,2022-02-11
[7]
半导体电路和半导体电路的制造方法 [P]. 
冯宇翔 .
中国专利 :CN114038813A ,2022-02-11
[8]
半导体电路和半导体电路的制造方法 [P]. 
左安超 ;
谢荣才 ;
王敏 .
中国专利 :CN113161340B ,2025-05-02
[9]
半导体电路和半导体电路的制造方法 [P]. 
左安超 ;
谢荣才 ;
王敏 .
中国专利 :CN113161340A ,2021-07-23
[10]
半导体电路和半导体电路的制造方法 [P]. 
王敏 ;
左安超 ;
谢荣才 .
中国专利 :CN115425071A ,2022-12-02
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