碳化硅半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010641221.2
申请日
2020-07-06
公开(公告)号
CN112216746A
公开(公告)日
2021-01-12
发明(设计)人
颜诚廷
申请人
申请人地址
中国台湾新竹市埔顶路512号2楼之1
IPC主分类号
H01L29872
IPC分类号
H01L2906 H01L21329
代理机构
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
张燕华
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
碳化硅半导体器件 [P]. 
颜诚廷 .
中国专利 :CN112216746B ,2024-05-14
[2]
碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件 [P]. 
陈昭铭 ;
张安平 ;
刘鸣然 ;
殷鸿杰 ;
罗惠馨 ;
袁朝城 .
中国专利 :CN113410284A ,2021-09-17
[3]
碳化硅半导体器件 [P]. 
田意 ;
徐大伟 .
中国专利 :CN113013245A ,2021-06-22
[4]
碳化硅半导体器件 [P]. 
山田俊介 ;
玉祖秀人 .
中国专利 :CN104285299A ,2015-01-14
[5]
碳化硅半导体器件 [P]. 
和田圭司 ;
斋藤雄 ;
增田健良 .
中国专利 :CN105074930A ,2015-11-18
[6]
碳化硅半导体器件 [P]. 
宫原真一朗 ;
高谷秀史 ;
杉本雅裕 ;
渡边行彦 ;
副岛成雅 ;
石川刚 .
中国专利 :CN102629625A ,2012-08-08
[7]
碳化硅半导体器件 [P]. 
山田俊介 ;
日吉透 ;
增田健良 ;
和田圭司 .
中国专利 :CN104662664B ,2015-05-27
[8]
碳化硅半导体器件 [P]. 
日吉透 ;
增田健良 ;
和田圭司 ;
筑野孝 .
中国专利 :CN104756256A ,2015-07-01
[9]
碳化硅半导体器件 [P]. 
增田健良 ;
斋藤雄 ;
林秀树 ;
日吉透 ;
和田圭司 .
中国专利 :CN104541376A ,2015-04-22
[10]
碳化硅半导体器件 [P]. 
内田光亮 ;
日吉透 .
中国专利 :CN105304713A ,2016-02-03