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碳化硅半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010641221.2
申请日
:
2020-07-06
公开(公告)号
:
CN112216746A
公开(公告)日
:
2021-01-12
发明(设计)人
:
颜诚廷
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹市埔顶路512号2楼之1
IPC主分类号
:
H01L29872
IPC分类号
:
H01L2906
H01L21329
代理机构
:
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人
:
张燕华
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-01-29
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/872 申请日:20200706
2021-01-12
公开
公开
共 50 条
[1]
碳化硅半导体器件
[P].
颜诚廷
论文数:
0
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0
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0
机构:
即思创意股份有限公司
即思创意股份有限公司
颜诚廷
.
中国专利
:CN112216746B
,2024-05-14
[2]
碳化硅半导体结构和碳化硅半导体器件
[P].
陈昭铭
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陈昭铭
;
张安平
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张安平
;
刘鸣然
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刘鸣然
;
殷鸿杰
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殷鸿杰
;
罗惠馨
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罗惠馨
;
袁朝城
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袁朝城
.
中国专利
:CN113410284A
,2021-09-17
[3]
碳化硅半导体器件
[P].
田意
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田意
;
徐大伟
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徐大伟
.
中国专利
:CN113013245A
,2021-06-22
[4]
碳化硅半导体器件
[P].
山田俊介
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山田俊介
;
玉祖秀人
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玉祖秀人
.
中国专利
:CN104285299A
,2015-01-14
[5]
碳化硅半导体器件
[P].
和田圭司
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和田圭司
;
斋藤雄
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斋藤雄
;
增田健良
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增田健良
.
中国专利
:CN105074930A
,2015-11-18
[6]
碳化硅半导体器件
[P].
宫原真一朗
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宫原真一朗
;
高谷秀史
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高谷秀史
;
杉本雅裕
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杉本雅裕
;
渡边行彦
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渡边行彦
;
副岛成雅
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副岛成雅
;
石川刚
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石川刚
.
中国专利
:CN102629625A
,2012-08-08
[7]
碳化硅半导体器件
[P].
山田俊介
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山田俊介
;
日吉透
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日吉透
;
增田健良
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增田健良
;
和田圭司
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和田圭司
.
中国专利
:CN104662664B
,2015-05-27
[8]
碳化硅半导体器件
[P].
日吉透
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日吉透
;
增田健良
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增田健良
;
和田圭司
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和田圭司
;
筑野孝
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筑野孝
.
中国专利
:CN104756256A
,2015-07-01
[9]
碳化硅半导体器件
[P].
增田健良
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增田健良
;
斋藤雄
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斋藤雄
;
林秀树
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林秀树
;
日吉透
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日吉透
;
和田圭司
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和田圭司
.
中国专利
:CN104541376A
,2015-04-22
[10]
碳化硅半导体器件
[P].
内田光亮
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内田光亮
;
日吉透
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日吉透
.
中国专利
:CN105304713A
,2016-02-03
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