晶体管的凹槽制作方法及晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010642467.1

申请日：

2020-07-06

公开(公告)号：

CN111952175A

公开(公告)日：

2020-11-17

发明(设计)人：

刘新科贲建伟利健罗江流王磊贺威林峰黎晓华朱德亮吕有明

申请人：

申请人地址：

518000 广东省深圳市南山区南海大道3688号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L29778 B82Y4000 B82Y1000

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

李博洋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-17	公开	公开
2020-12-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20200706

共 50 条

[1]

MOS晶体管的制作方法及MOS晶体管 [P].

刘佳磊 .

中国专利 :CN105529265A ,2016-04-27

[2]

晶体管结构和晶体管的制作方法 [P].

黄北洲 .

中国专利 :CN108054214A ,2018-05-18

[3]

晶体管和用于制作晶体管的方法 [P].

J·H·张 .

中国专利 :CN109461702A ,2019-03-12

[4]

NMOS晶体管、PMOS晶体管、CMOS晶体管及其制作方法 [P].

郑俊丰 .

中国专利 :CN106206740B ,2016-12-07

[5]

晶体管的制作方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN102468173A ,2012-05-23

[6]

晶体管的制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102420138A ,2012-04-18

[7]

晶体管的制作方法 [P].

李全波 ;

张瑜 ;

崇二敏 .

中国专利 :CN102881597A ,2013-01-16

[8]

晶体管的制作方法 [P].

张彬 ;

邓浩 .

中国专利 :CN103137481B ,2013-06-05

[9]

晶体管的制作方法 [P].

史运泽 ;

徐友锋 ;

刘焕新 .

中国专利 :CN102487012A ,2012-06-06

[10]

晶体管的制作方法 [P].

童浩 ;

严琰 ;

曾以志 .

中国专利 :CN104517844B ,2015-04-15

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