功率半导体器件的集成冷却模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410121411.6

申请日：

2014-03-28

公开(公告)号：

CN104078433A

公开(公告)日：

2014-10-01

发明(设计)人：

A.施瓦茨

申请人：

申请人地址：

德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号

IPC主分类号：

H01L23367

IPC分类号：

H01L2346 H01L23473

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

马丽娜;胡莉莉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-01	公开	公开
2017-10-31	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 23/367 申请公布日:20141001
2014-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587980718 IPC(主分类):H01L 23/367 专利申请号:2014101214116 申请日:20140328

共 50 条

[1]

功率半导体模块以及用于冷却功率半导体模块的方法 [P].

丹尼尔·卡尼 ;

弗朗切斯科·阿戈斯蒂尼 ;

迪迪埃·科泰 ;

达尼埃莱·托雷辛 ;

马蒂厄·哈贝特 .

中国专利 :CN105374771A ,2016-03-02

[2]

包括功率半导体模块和冷却器件的装置 [P].

R·索莱曼扎德 ;

N·帕利克 ;

柳春雷 .

:CN121195602A ,2025-12-23

[3]

功率半导体模块、功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

D·特拉塞尔 ;

H·拜尔 ;

M·马利基 .

:CN116830247B ,2024-08-09

[4]

功率半导体器件、功率半导体模块和加工方法 [P].

罗曼·罗特 ;

弗兰克·希勒 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔策 .

中国专利 :CN110265374B ,2019-09-20

[5]

一种功率半导体模块和功率半导体器件 [P].

新居良英 ;

刘乐 ;

刘莉飞 ;

王庆凯 ;

高崎哲 ;

苟文辉 .

中国专利 :CN210516724U ,2020-05-12

[6]

半导体器件、半导体模块和用于冷却半导体器件的方法 [P].

T·G·沃德 ;

E·P·扬科斯基 .

中国专利 :CN101345223B ,2009-01-14

[7]

功率半导体器件 [P].

朴镇玉 ;

姜男主 ;

宋承昱 ;

李枓炯 ;

李在德 .

韩国专利 :CN119907281A ,2025-04-29

[8]

功率半导体模块的布局结构和功率半导体模块 [P].

周福鸣 ;

丁宇鹏 ;

和巍巍 ;

张备衔 .

中国专利 :CN119905468B ,2025-12-09

[9]

功率半导体模块的布局结构和功率半导体模块 [P].

周福鸣 ;

丁宇鹏 ;

和巍巍 ;

张备衔 .

中国专利 :CN119905468A ,2025-04-29

[10]

双面水冷却功率半导体器件模块 [P].

夏吉夫 .

中国专利 :CN2577443Y ,2003-10-01

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