具有均匀电极电场分布的发光二极管及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811206247.3
申请日
2018-10-17
公开(公告)号
CN109148662A
公开(公告)日
2019-01-04
发明(设计)人
张勇辉 郑羽欣 车佳漭 张紫辉
申请人
申请人地址
300130 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#
IPC主分类号
H01L3314
IPC分类号
H01L3338 H01L3300
代理机构
天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210
代理人
赵凤英
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
具有均匀电极电场分布的发光二极管 [P]. 
张勇辉 ;
郑羽欣 ;
车佳漭 ;
张紫辉 .
中国专利 :CN208767327U ,2019-04-19
[2]
发光二极管及其制备方法 [P]. 
王明 ;
饶晓松 ;
张奕 ;
程虎 .
中国专利 :CN120936155A ,2025-11-11
[3]
改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法 [P]. 
兰叶 ;
王江波 ;
朱广敏 ;
吴志浩 ;
张威 .
中国专利 :CN119486403A ,2025-02-18
[4]
具有场板结构的发光二极管器件及其制备方法 [P]. 
张紫辉 ;
车佳漭 ;
楚春双 ;
张勇辉 ;
田康凯 .
中国专利 :CN108574033A ,2018-09-25
[5]
一种深紫外发光二极管及其制备方法 [P]. 
张紫辉 ;
邵华 ;
张勇辉 .
中国专利 :CN112885933A ,2021-06-01
[6]
微型发光二极管及其制备方法 [P]. 
陈张笑雄 ;
龚逸品 ;
朱宸綦 ;
王江波 .
中国专利 :CN121038453A ,2025-11-28
[7]
高效发光二极管及其制备方法 [P]. 
程海林 ;
杨云峰 ;
朱帅 .
中国专利 :CN118610327A ,2024-09-06
[8]
高亮发光二极管及其制备方法 [P]. 
刘小星 ;
尹灵峰 ;
高艳龙 ;
陈沛然 ;
马国强 .
中国专利 :CN115458652A ,2022-12-09
[9]
微发光二极管及其制备方法 [P]. 
郭恩卿 ;
黄秀颀 ;
王程功 ;
夏继业 ;
姚志博 .
中国专利 :CN114171646A ,2022-03-11
[10]
高亮发光二极管及其制备方法 [P]. 
刘小星 ;
尹灵峰 ;
高艳龙 ;
陈沛然 ;
马国强 .
中国专利 :CN115458652B ,2025-07-11