半导体器件的熔丝锁存器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811516589.5

申请日：

2018-12-12

公开(公告)号：

CN110910943A

公开(公告)日：

2020-03-24

发明(设计)人：

千德秀

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C2952

IPC分类号：

H03K3356 H03K19003

代理机构：

北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363

代理人：

许伟群;郭放

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/52 申请日:20181212
2020-03-24	公开	公开

共 50 条

[1]

包括熔丝锁存器的半导体器件 [P].

千德秀 .

中国专利 :CN113129988A ,2021-07-16

[2]

锁存电路和包括锁存电路的半导体器件 [P].

周珉镐 ;

池性洙 ;

金成镐 .

中国专利 :CN104916325A ,2015-09-16

[3]

锁存电路及包括锁存电路的半导体器件 [P].

池性洙 .

中国专利 :CN105280241B ,2016-01-27

[4]

具有熔丝的半导体器件 [P].

南条亮太 ;

大塚敏志 ;

泽田丰治 ;

助川和雄 .

中国专利 :CN1499627A ,2004-05-26

[5]

带有改进接触熔丝的半导体器件 [P].

H·郭 ;

D·李 ;

B·顾德林 ;

J·麦克菲尔森 .

中国专利 :CN101432880A ,2009-05-13

[6]

具有熔丝图案的半导体器件 [P].

赵文祺 ;

安殷彻 ;

金相荣 ;

辛周源 ;

李旼镐 .

中国专利 :CN103855133A ,2014-06-11

[7]

适合半导体器件的熔丝断开方法 [P].

大村昌良 ;

关本康彦 .

中国专利 :CN100501973C ,2006-11-01

[8]

适合半导体器件的熔丝断开方法 [P].

大村昌良 ;

关本康彦 .

中国专利 :CN101425502A ,2009-05-06

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

林士豪 ;

杨智铨 ;

苏信文 ;

林建隆 ;

林建智 .

中国专利 :CN113314536A ,2021-08-27

[10]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

宋均镛 ;

阎江 ;

丹尼·P－C.·舒姆 ;

阿洛艾斯·古特曼 .

中国专利 :CN1848431A ,2006-10-18

← 1 2 3 4 5 →