包括熔丝锁存器的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010625336.2

申请日：

2020-07-02

公开(公告)号：

CN113129988A

公开(公告)日：

2021-07-16

发明(设计)人：

千德秀

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C2900

IPC分类号：

H01L27112

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

刘久亮;黄纶伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-16	公开	公开
2021-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 29/00 申请日:20200702

共 50 条

[1]

半导体器件的熔丝锁存器 [P].

千德秀 .

中国专利 :CN110910943A ,2020-03-24

[2]

锁存电路和包括锁存电路的半导体器件 [P].

周珉镐 ;

池性洙 ;

金成镐 .

中国专利 :CN104916325A ,2015-09-16

[3]

锁存电路及包括锁存电路的半导体器件 [P].

池性洙 .

中国专利 :CN105280241B ,2016-01-27

[4]

具有熔丝的半导体器件 [P].

南条亮太 ;

大塚敏志 ;

泽田丰治 ;

助川和雄 .

中国专利 :CN1499627A ,2004-05-26

[5]

包括反熔丝的半导体器件及其制造方法 [P].

李东贤 .

中国专利 :CN111384023A ,2020-07-07

[6]

包括反熔丝的半导体器件及其制造方法 [P].

李东贤 .

韩国专利 :CN111384023B ,2024-03-26

[7]

带有改进接触熔丝的半导体器件 [P].

H·郭 ;

D·李 ;

B·顾德林 ;

J·麦克菲尔森 .

中国专利 :CN101432880A ,2009-05-13

[8]

半导体器件以及包括半导体器件的半导体装置 [P].

C·R·米勒 ;

S·布施霍恩 ;

J·G·拉文 .

中国专利 :CN112054022A ,2020-12-08

[9]

半导体器件、半导体器件的使用和包括这种半导体器件的器件 [P].

简·雄斯基 ;

安科·黑林格 .

中国专利 :CN101828253B ,2010-09-08

[10]

具有熔丝图案的半导体器件 [P].

赵文祺 ;

安殷彻 ;

金相荣 ;

辛周源 ;

李旼镐 .

中国专利 :CN103855133A ,2014-06-11

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